第10章半导体器件的静电损伤及防护.docxVIP

第十章半导体器件的静电损伤及防护 半导体器件在制造 /存储 /运输及装配过程中，仪器设备 /材料及操作者都很容易因摩擦 而产生几千伏的静电电压。当器件与这些带电体接触时，带电体就会通过器件引出腿放电， 引起器件失效。静电放电（ ESD）损伤不仅对 MOS 器件很敏感，而且在双极器件和混合集 成电路中同样存在 ESD 损伤问题。 目前，国际上对 EDS 损伤及防护问题非常重视。从 80 年代初开始，由美国可靠性分析中心和罗姆航空发展中心联合发起，每年召开一次国际性的专题年会，交流 ESD 方面的研究成果。 半导体器件的 ESD 损伤， 在我国的电子工业中也十分严重。 例如，对上海十多个器件厂和仪器厂进行调查结果表明，平均有 4-10% 的 MOS 器件因 ESD 损伤而失效，因 ESD 效造成的仪器返修损失更为可观。 可见，对半导体器件的静电损伤及防护进行研究具有很大的现实意义。  失 1* 静电的产生 静电现象发现较早，但对它的研究却是近几十年来随着一些新技术的发展才开始大量进行的，有些问题至今仍没有完全解决，还有待进一步试验和研究。 静电是同性束缚电荷的积累，这些电荷不能很快同异性电荷重新结合。两种物质互相 摩擦是产生静电的主要方式， 但不是唯一的方式。 除摩擦以外， 两种物质紧密接触后再分离 /物质受压或破裂 /物质发生电解以及物质受到其它带电体的感应等均可能产生静电。