硅光电池特性的研究应用.docVIP

KGD-Ⅱ型硅光电池特征 试验仪使用说明书 西安超凡光电设备 KGD-Ⅱ型硅光电池特征试验仪 一、试验目标 1．了解和研究硅光电池关键参数和基础特征，自己设计、连接光路和电路进行试验操作。 2．研究硅光电池在光照下产生光电流，光伏电压和输入光信号关系。 3．研究硅光电池输出特征。 4．测定硅光电池频率响应。 二、仪器组成 试验仪由发光二极管驱动和调制电路，发送光强度指示，硅光电池及I/V转换模块、接收光强度指示、电阻箱等组成。KGD-Ⅱ型在Ⅰ型基础上增加了函数信号发生器，将试验配套设备降低到只需一台双踪示波器。 三、试验原理 1、引言 硅光电池是一个能量转换器，它能直接把光能转换为电能。它也是一个将改变光信号直接转换成对应改变电信号光电转换器件。硅光电池是半导体光电探测器一个基础单元。硅光电池含有光电转换效率高、性能稳定、使用寿命长、重量轻、耐高温辐射、光谱范围宽、频率响应好、使用方便等优点。在数码摄像、光通信、太阳能电池等领域得到广泛应用，在现代科学技术中占有十分关键地位。 2、硅光电池工作原理 光电转换器件关键是利用物质光电效应。当光照射金属、金属氧化物或半导体材料表面时，会被这些材料内电子所吸收，假如光子能量足够大，吸收光子后电子可摆脱原子束缚而产生电子——空穴对。图1是一般N/P型硅光电池结构示意图。当半导体PN结处于零偏或负偏时，它们结合面耗尽区存在一内电场。当没有光照射时，光电二极管相当于一般二极管。其伏安特征是 (1) 式（1）中I为流过二极管总电流，Is为反向饱和电流，e为电子电荷，k为波尔兹曼常量，T为工作绝对温度，V为加在二极管两端电压。对于外加正向电压，I随V指数增加，称为正向电流；当外加电压反向时，在反向击穿电压之内，反向饱和电流基础上是个常数。 图1 光电池结构示意图 当有光照时，入射光子将把处于介带中束缚电子激发到导带，激发出电子空穴对在内电场作用下分别飘移到N型区和P型区，从而产生光伏电压。当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。流过PN结两端电流可由式（2）确定： （2） 此式表示硅光电池伏安特征。式（2）中，Ip为产生反向光电流。从式中能够看到，当光电池处于零偏时，V=0，流过PN结电流I=Ip；当光电池处于负偏时（比如取V=-5V），流过PN结电流I=Ip+ISO。所以，当光电池用作光电转换器件时，光电池必需处于零偏或负偏状态。比较（1）式和（2）式可知，硅光电池伏安特征曲线相当于把一般二极管伏安特征曲线向下平移。 硅光电池伏安特征曲线图2所表示。当电池不受光照时，起一个二极管作用，外加电压和电流间关系称为光电池暗特征。光电池正向电阻和反向电阻相差很大。光电池电阻不仅在受光照时和未受光照时不一样，而且还受入射光强度不一样而改变，入射光强度越大，光电池电阻越小。 假如光照恒定，当光电压增加到P—N结正向电流全部抵消了光电流时，光电压不再增大，达成一稳定状态，和之相对应光生电压称为光电池开路电压，用Uoc表示，图2所表示。图中Isc为光电池短路电流。光电池两端短路时，光生电流全部流入外电路，不可能在P-N结两边形成载流子积累，光电压为零。这时经过外电路电流称为短路电流。它是光电池在一定光照射下，外电路中所能得到最大电流，在不考虑其它损耗情况下，短路电流ISC和光电流IL相等。理论分析表明，短路电流ISC随光强线性增加，而开路电压UOC随光强呈对数增加。图3所表示。 图2 硅光电池I—U特征曲线 3、硅光电池输出特征 在一定光照条件下，硅光电池输出特征曲线图4所表示。当硅光电池经过负载RL闭合后，RL从0变到无穷大时，输出电压则从0变压Uoc，同时输出电流从Isc变到0，由此可得电池输出特征曲线。曲线上任何一点全部能够作为工作点，工作点所对应纵横座标，即为工作电流和工作电压。二者乘积 P=IU （3） 为电池输出功率，Imp、Ump为该电池最好工作点，故最大输出功率为 Pmax=Imp×Ump （4） 四、试验内容和步骤 1、硅光电池特征试验仪电路 硅光电池特征试验仪框图图5所表示。超高亮度发光二极管（LED）在可调电流和调制信号驱动下发出光照射到光电池表面，偏置选择开关可分别打到零偏、负偏或负载。 图5 硅光电池特征试验仪框图 一些半导体材料形成PN结加正向电压时，空穴和电子在PN结复合时将产生特定波长光。用这种材料制成发光二极管。LED输出光功率P和驱动电流关系由式（5）确定： P=ηEpI/e