试卷3-电子技术.docVIP

PAGE 第PAGE 4页，共4页 2016/2017学年第二学期影像专业《电子技术》重修试卷 班级 姓名 学号 成绩 一．判断题（1分×10=10分） 1．硅和锗是制作半导体器件的主要材料。（ ） 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） 3．三极管的发射区和集电区都是同类型半导体材料，因此，e极和c极可以互换。（ ） 4．二极管两端加上0.7V的电压就能导通。（ ） 5．基本放大电路中的三极管起电压放大的作用。（ ） 6．分压式偏置放大电路能稳定三极管的静态工作点。（ ） 7．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。（ ） 8．把输入的部分信号送到放大器的输出端成为反馈。（ ） 9．OCL功率放大器采用单电源供电。（ ） 10．凡是集成运放构成的电路，都可以用“虚短”和“虚断”概念加以分析。（ ） 二．填空题（1分×25=25分） 1．P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素杂质形成的，其中多子是 ，少子是 。 2．PN结在__________时导通，__________时截止，这种特性称为__________________性。 3．三极管的输出特性曲线上有三个区域，分别是 、 、 。 4．发光二极管是一种通以__________电流就会__________的二极管。 5．放大电路的非线性失真有_______________和_______________两种。 6．若某放大器的输入电压为20mV，输出电压为2V，则电压放大倍数为 ，用电压增益表示为 dB。 7．将八进制数转换为十六进制的结果是 。8．8421BCD码= ( )10 。 9．逻辑代数中的基本运算关系有 ， ， 。 10．施密特触发器具有_________特性，定义为参数△UT=_________。 11．脉冲波形主要参数中的占空比指的是 与 的比值。它描述了脉冲波形的 性。 三．单选题（1分×15=15分） 1．如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（ ） A．特性良好 B．已被击穿 C．内部开路 D．功能正常 2．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ） A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 3．双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是（ ）。 A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结正偏，集电结反偏 C．发射结反偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏 4．反相比例运算电路的输入电流基本上（ ） 流过反馈电阻Rf上的电流。 A．大于 B．小于 C．等于 D．以上都不对 5．半导体二极管的阴极电位高于阳极电位时，半导体二极管应当（ ） A．导通 B．截止 C．放大 D．无法确定 6．稳压管是利用二极管的什么特性制成的 ( ) A．单向导电特性 B．温度特性 C．反向击穿特性 D．光敏特性 7．差动放大电路的两输入信号分别为ui1= 100.5mV，ui2= 99.5mV，则该差动放大电路的差动输入信号和共模输入信号分别为（ ） A．差模0.5mV，共模100mV B．差模0.5mV，共模0.5mV C．差模1mV，共模100mV D．差模1mV，共模0.5mV 8．将交流电变成单向脉动直流电的电路称为（ ）电路 A．变压 B．整流 C．滤波 D．稳压 9．对于NPN型三极管，为实现电流放大，各极电位必须满足（ ） A．VCVBVE B．VCVBVE C．VcVEVB D．VC=VB=VE 10