第5章MOS反相器讲解.docxVIP

填空题 解答题 请给出 NMOS晶体管的阈值电压公式，并解释各项的物理含义及其对阈值大小的影响（即各项在不同情 1、 况下是提高阈值还是降低阈值）。 【答案：】 2、什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响 【答案：】 器件的亚阈值特性是指在分析 MOSFET 时，当 VgsVth 时 MOS 器件仍然有一个弱的反型层存在， 漏源电流 Id 并非是无限小，而是与 Vgs 呈现指数关系，这种效应称作亚阈值效应。 影响：亚阈值导电会导致较大的功率损耗，在大型电路中，如内存中，其信息能量损耗可能使存储信息改变，使电路不能正常工作。 3、 MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响 【答案：】 短沟道效应是指：当 MOS 晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道 效应，栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，产生耗尽区电荷共享，并且随着沟道长度的减小，受栅控制的耗尽区电荷不断减少的现象 影响： 由于受栅控制的耗尽区电荷不断减少， 只需要较少的栅电荷就可以达到反型， 使阈值电压降低；沟道变短使得器件很容易发生载流子速度饱和效应。 4、请以 PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对 PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响 【答案：】 对于 PMOS 晶体管，通常情况下衬底和源极都接最高电位，衬底偏压 ，此时不存在衬偏效应。而当 PMOS 中因各种应用使得源端电位达不到最高电位时，衬底偏压 0 ，源与衬底的 PN 结反偏，耗尽 层电荷增加，要维持原来的导电水平，必须使阈值电压（绝对值）提高，即产生衬偏效应。 影响：使得 PMOS 阈值电压向负方向变大，在同样的栅源电压和漏源电压下其漏源电流减小。 5、什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响 【答案：】 MOS 晶体管存在速度饱和效应。器件工作时，当漏源电压增大时，实际的反型层沟道长度逐渐减小， 即沟道长度是漏源电压的函数，这一效应称为 “沟道长度调制效应 ”。 影响：当漏源电压增加时，速度饱和点在从漏端向源端移动，使得漏源电流随漏源电压增加而增加，即饱和区 D 和 S 之间电流源非理想。 6、为什么 MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应） 【答案：】 晶体管开通后，其漏源电流随着漏源电压而变化。当漏源电压很小时，随着漏源电压的值的增大，沟道内电场强度增加，电流随之增大，呈现非饱和特性；而当漏源电压超过一定值时，由于载流子速度饱和（短沟道）或者沟道夹断（长沟道），其漏源电流基本不随漏源电压发生变化，产生饱和特性。 7、给出 E/R 反相器的电路结构，分析其工作原理及传输特性，并计算 VTC曲线上的临界电压值 【答案：】 V in V T0 时，M I 处于截止状态， 不产生任何漏极电流。 随着输入电压增加而超过 V T0 时， MI 开始导通， 漏极电流不再为 0 ，由于漏源电压 V DS =V out 大于 Vin - V T0 ，因而 MI 初始处于饱和状态。随着输入电 压增加，漏极电流也在增加，输出电压 V out 开始下降，最终，输入电压大于 V out + V T0， MI 进入线性 工作区。在更大的输入电压下，输出电压继续下降， M I 仍处于线性模式。传输特性曲线如图示： 1 ） Vin V T0 时， M I 截止， Vout = V OH = V DD 2 ） V in = V OH =V DD 时， Vout =V OL MI ：V GS =V in =V DD V DS =V out =V OL ∴VDS V GS-V T0 MI 非饱和导通 I R=(V DD -V out )/R L=(V DD -V OL )/R L I M=K N〔(V GS- V T0 )V DS- 1/2V DS 2 〕 = K N〔(V DD- V T0) V OL- 1/2V OL 2 〕 ∵I M=I R V OL =V DD -V T0+1/K NRL- 为使 VOL→ 0 ，要求 KNRL 1 为使 VOL →0 ，要求 KNRL 1 3 ） Vin =V IL 时, M I ：V GS =V in =V IL V DS =V out ∴VDS V GS-V T0 MI 饱和导通 I R=(V DD -V out )/R L I M=1/2 K N (V GS - V T0)2 =1/2 K N (V in - V T0 ) 2 ∵I M=I R，对 V in 微分，得： -1/R L (dV out /dV in )= K N (V in - V T0) ∵dV out /dV in =-1 ∴V IL =V in =V T0 +1/K N R L ∴此时 V out =V DD -