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电力电子技术第五版课后习题答案 第二章 电力电子器件 2-1 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有 耐受高压和大电流的能力？ 答： 1. 电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显 著提高了二极管的通流能力。 2. 电力二极管在 P 区和 N 区之间多了一层低掺杂 N区，也称 漂移区。 低掺杂 N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体， 由于掺 杂浓度低，低掺杂 N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电 压，并在门极施加触发电流（脉 冲）。或： uAK0 且 uGK0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸 管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即 维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管 的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图 2-27 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流 最大值均 为 Im ，试计算各波形的电流平均值 Id1 、 Id2 、 Id3 与电流有效值 I1 、I2 、 I3 0 2 0 4 5 2 0 2 2 4 a) b) 4 c) 图 2-27 图1-43 晶闸管导电波形 解： a) I d1 1 I m sin td ( t) = I m ( 2 1 ) I m = 2π 2 2π 4 I 1 1 ( I m sin 2 d( t) = Im 3 1 I m = 2 4 t ) 2 4 2 b) I d2 = 1 I m sin td ( t) = I m ( 2 1 ) I m π 4 π 2 I 2 = 1 ( I m sin t) 2 d ( t) = 2I m 3 1 m 4 2 4 2 c) I d3 = 1 2 I md ( t) = 1 I m 2π 0 4 I 3 = 1 2 I m d ( t ) = 1 I m 2 2 0 2 2-5 上题中如果不考虑安全裕量 , 问 100A 的晶闸管能送出的平均电流 I d1、I d2、I d3 各为 多少？这时，相应的电流最大值 I m1、 I m2、 I m3各为多少 ? 解：额定电流 I T(AV) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值 I =157A ，由上题计算结果知 a) I ， 0.4767 b) I , 0.6741 I I d3 1 I m3 c) I m3 = 314, =2 = 4 = 2-6 GTO 和普通晶闸管同为 PNPN结构 , 为什么 GTO能够自关断 , 而普通晶闸管不 能 ? 答： GTO和普通晶阐管同为 PNPN结构，由 P1N1P2和 N1P2N2构成两个晶体管 V1 、V2，分别 具有共基极电流增益 a1 和 a2，由普通晶阐管的分析可得 ,a1+a2=1 是器件临界导通的条件。 a1+a21 两个等效晶体管过饱和而导通； a1+a21 不能维持饱和导通而关断。 GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为 GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面 有以下几点不同 : 在设计时 a2 较大，这样晶体管 V2 控制灵敏，易于 GTO关断； 导通时 a1+a2 的更接近于 l ，普通晶闸管 a1+a2 ，而 GTO则为 a1+a2 ，GTO的饱和程度不 深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件； 3. 多元集成结构使每个 GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得 P2 极区 所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 2-7 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得它具有耐受 高电压电流的能力？ 答 1. 电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高 了二极管的通流能力。 2. 电力二极管在 P 区和 N 区之间多了一层低掺杂 N 区，也称漂移区。 低掺杂 N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度 低，低掺杂 N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-8 试分析 IGBT 和电力 MOSFET在内部结构和开关特性上的相似与不同之处 . IGBT比电力 MOSFET在背面多一个 P 型层， IGBT 开关速度小，开关损耗少具有耐脉冲电流冲击的能力， 通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小。开关速度低于电力 MOSFET。电力 MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好。所需驱动功率小且驱动电路简