实验2场效应管放大电路设计解读.pdfVIP

3.2 场效应管放大电路设计 3.2.1、实验目的 1.掌握场效应管的特性和参数的测试方法。 2.掌握场效应管放大器性能的调测方法。 3.2.2、实验原理与设计方法 1. 场效应管的分类 场效应管(FET 是一种电压控制 电流器件。其特点是输入电阻高,噪声系数低,受温 度和辐射影响小。因而特别使用于高灵敏度、低噪声 电路中。 场效应管的种类很多,按结构可分为两大类:结型场效应管(JFET 和绝缘栅型场效 应管 (IGFET . 结型场效应管又分为 N 沟道和 P 沟道两种。 绝缘栅场效应管主要指金属一氧 化物—半导体(MOS 场效应管。 MOS 管又分为“耗尽型”和“增强型”两种,而每一种又 分为 N 沟道和 P 沟道。 结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的,输入电阻(105-- -1015 之间;绝缘栅型是利感应电荷的多少来控制导点沟道的宽窄从而控制电流的大小 其输入阻抗很高 (其栅极与其他 电极互相绝缘 , 以及它在硅片上的集成度高, 因此在大规模 集成电路中占有极其重要的地位。 2. 场效应管的特性 下面以 N 沟道增强型 MOS 场效应管为例进行说明场效应管的特性 . 图 3.2.1为 N 沟道增 强型 MOS 场效应管的输出特性曲线。 输出特性曲线分为三个区:可变电阻区、 恒流区和击穿 区。 (1可变电阻区 当 UGsUt 时,沟道形成;在 UDS= 0 时,沟道内横向电场等于零,所以 I D =0; 当 U DSd 大于 ~0 时,沟道内的 击 穿 区 图 3.2.1 N 沟道增强型 MOS 场效应管 电子在横向电场作用下,产生漏极电 ID 。但当 UDS 较小时,由于 UDS 的 化对沟道大小 影响不大,沟道电阻基本为一常数, ID 基本随 UGS 作线性 化。 当 UGs 恒定时,沟道导通 电阻近似为一常数, 从此意义上说, 该区域为恒定 电阻区,当 Ucs 化时, 沟道导通 电阻的 值将随 UGS 化而 化, 因此该区域又可称为可变电阻区。 利用这一特点, 可用场效应管作 为可变电阻器。 (2恒流区 当 UGs 恒定,在未饱和时,增加 UDs ,使漏极 电 ID 增加,当加大到使靠近漏极端的 栅漏 电压等于开启电压, ,漏极 电流达到最大值,漏极端的导电沟道将开始消失 (称为预夹 断 ,此时场效应管刚好饱和;若继续增加 UDS ,即 UDsUT,会使漏极端导电沟道被夹断而 出现耗尽层, 并随着 UDS 的增加, 夹断点向源极移动。 由于耗尽层的电阻率远大于沟道的电 阻率, 因此当漏极端出现耗尽层后, 所增加的 UDS 几乎全部降在耗尽层两端, 而加在沟道两 端的电压几乎不 ,从而使漏极电 ID 基本不随 UDs 而 。在输出特性曲线上,将不同值 时的预夹断点连起来,即是图 3.2.1 中左侧的虚线。虚线右面即为恒流区 (或称为饱和区 。 场效应管作为放大器使用时,一般工作在此区域内。 (3击穿区当 UDs 增加到某一临界值时, I D 开始迅速增大 , 曲线上翘 , 场效应管不工作 , 甚至烧毁, 场效应管工作时要避免进入此区间 . 3. 场效应管的参数 衡量场效应管控制能力的重要参数指标是跨导 m g 。即 D GS i m Q v g ∂= ∂ 其大小表征在工作点 Q 处栅源交 电压 UGS 对漏极交 电流的控制作用, 其典型直为 lms 一 10ms 。 表征场效应管器件输出电流减小到接近于零时的栅源 电压称为夹断电压,它是耗 尽型场效应管的重要参数; 表征场效应管器件开始有输出电 时的栅源压¨, 它是增强型场 效应管的重要参数。 4.场效应管的判别与实验测试 结型场效应管有三个电极,即源极、栅极和漏极, 可以用万用表测量电阻的方法, 把栅极 找出, 而源极和漏极一般可对调使用,所以不必区分。测的依据是,源极和漏极之间为一个 半导体材料 电阻,用万用表测量电阻的 R×1kQ量程挡,分别测量源极对漏极、漏极对源极 的电阻值,它们应该相等。也可以根据栅极相对于源极和漏极都应为 P