整理IGBT的检测方法.pptxVIP

IGBT 的检测方法;测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏 极、栅极 G1 与栅极G2 之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符 去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10 或R×100 档，测量源 极S 与漏极 D 之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种 不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是 由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。 然后把万用表置于R×10k 档，再测栅极G1 与 G2 之间、栅极与源极、栅 极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常 的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极 在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100 档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极 D，给场效应管加上 1.5V 的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。 然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。这 样，由于管的放大作用，漏源电压VDS 和漏极电流Ib 都要发生变化，也就是 漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏 栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能 力大；若表针不动，说明管是坏的。 根据上述方法，我们用万用表的R×100 档，测结型场效应管 3DJ2F。先 将管的G 极开路，测得漏源电阻RDS 为 600Ω，用手捏住G 极后，表针向左;摆动，指示的电阻RDS 为 12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并 有较大的放大能力。 运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万 用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是 由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可 能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的 RDS 增大，即表针向左摆动；少数管的RDS 减小，使表针向右摆动。但无论表针摆 动方向如何，只要表针??动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。 第二，此方法对 MOS 场效应管也适用。但要注意，MOS 场效应管的输人 电阻高，栅极G 允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须 用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到 栅极，引起栅极击穿。 第三，每次测量完毕，应当G-S 极间短路一下。这是因为G-S 结电容上会 充有少量电荷，建立起VGS 电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将 G-S 极间电荷短路放掉才行。 （4）用测电阻法判别无标志的场效应管 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极 S 和漏极D， 余下两个脚为第一栅极 G1 和第二栅极 G2。把先用两表笔测的源极 S 与漏极D 之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测 得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D；红表笔所接的为源极S。;用这种方法判别出来的S、D 极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验 证，即放大能力大的黑表笔所接的是D 极；红表笔所接地是 8 极，两种方法检 测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S 的位置后，按D、S 的对应位置装 人电路，一般 G1、G2 也会依次对准位置，这就确定了两个栅极 G1、G2 的位 置，从而就确定了D、S、G1、G2 管脚的顺序。 用测反向电阻值的变化判断跨导的大小 对VMOSN 沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极 S、 黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是 开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在 R×10kΩ的高 阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极G 时，会发现管的反向电阻值有明 显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此 法测时，反向阻值变化不大。 二、场效应管的使用注意事项 为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最 大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵 守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是 PN 结，N 沟道管栅极 不能加正偏压；P 沟道管栅极不能加负偏压等等。 MOS 场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出 脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，;不能将 MOS 场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要 注意管的防潮。 为了防止场效应管栅极感应击穿，要