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郭東昊教授 -材料製程研究室 -功能性陶瓷材料 (1) 奈米材料之研究： (a) 在奈米碳管研究方面：將尖端奈米碳管之研究與傳統材料知識 (【1】Fe-C 相圖恆溫析出觀念及【 2】材料動力學知識 )相結合的範例，說明基礎材料知識的重要性。此數學量化模型 建立於碳原子於液態鐵中析出形成奈米碳管為主要的奈米碳管成長機制，成長速率與碳原子於液態鐵中的擴散通量成正比，而此 carbon flux 受兩項因素相互競爭，正比於碳的溶解度，但隨著碳溶解度增加且愈接近 Fe3C 的碳含量，碳擴散通量會逐漸減弱而不利奈米碳管成長。利用此模型可以十分合理解釋實 驗數據中，成長溫度、乙炔通量、五羰鐵通量等對成長速率之影響，對 CNT 領域有一番不同的貢獻。 在 In2O3 奈米線研究方面：由實驗結果提出次級氯化銦的形成對奈米線的成長有重要影響，此機制 中，我們提出 InCl 次級氯化銦比起 InCl 3 較容易產生銦金屬固溶入金中形成 Au-In 固溶體，才有利進行 VLS 成長機制。 (c) 在 GaN 奈米線研究方面：為了驗證次級氯化物對氮化物 GaN 奈米線的重要性，採用反應法來合成次級氯化物 。此研究採用 Ga+LiF+NH 3 反應物反應，希望形成 Ga-F 次級鹵化物以利 Ga 固溶入金觸媒中 ，再利用 VLS 來幫助奈米線之成長。 在 ZnO, ZnS 奈米線研究方面：利用熱蒸發反應法製作具有發光特性之半導體一維材料。 在陶瓷鍍膜方面 ：利用 CVD 與 PVD 法製作介電陶瓷薄膜如 TiO2 , SiO2, Al 2O3, ZrO2, TiO2-Al 2O3, Al 2O3-SiO2, Ti-P-O；製作 Cu2SnSe3 太 陽能電池薄膜；製作導電薄膜 ITO, LaNiO 3；製作硬質陶瓷薄膜如 Ti-Si-C-N, Si-C-O 。CVD 法研究陶瓷鍍膜主要方向是 CVD 成長動力 學之研究。於一系列的 CVD 鍍膜研究中，於 Chemical Vapor Deposition 期刊所發表的一篇，不僅提出低溫成長不同 TiO2 的方法與成長機制，也歸納整理個人先前 3-4 年間有關 CVD 製程，發現不同的化學反應系統會有不同的反應機制，進而影響薄膜的成長方 式、成長速度、薄膜內應力，提出一整體適用的反應機制來解釋以往都糢糊不清的實驗解釋。 鐵電陶瓷薄膜方面： 主要是將陶瓷材料的基礎學科「陶瓷缺陷 化學」應用於功能鐵電陶瓷之研究，說明基礎陶瓷材料知識的重要 性。研究是利用新穎的施體 /授體摻雜於 A/B 晶格所造成的陶瓷缺陷，對電子陶瓷進行性質改善。由於 陶瓷缺陷的複雜性，所以可以進行許多有趣實驗。主要研究對象是層狀鈣鈦礦結構之薄膜，如 (Bi,Nd) 4Ti 3 O12 系統： Th4+ donor/Mg2+ acceptor－cosubstituted (Bi,Nd) 4Ti3O12、 In 摻雜之 (Bi,Nd) 4Ti 3O12 鐵 電薄膜；如 ABi 4Ti4O15 系統：(K 0.45Bi 0.55)Bi 4(Ti 4-yMn y)O15、(K 0.45Bi 0.55)Bi 4(Ti4-xMx)O15 M= Mn3+, Fe3+, and Ni2+ 薄膜。