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仅供个人参考 仅供个人参考 不得用于商业用途 不得用于商业用途 一.For personal use only in study and research; not for commercial use 三?填空题 能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的 ，引入有效质量的意义 在于其反映了晶体材料的 的作用。（二阶导数，内部势场） 半导体导带中的电子浓度取决于导带的 （即量子态按能量如何分布）和 （即电子在不同能量的量子态上如何分布） 。（状态密度，费米分布函数） 两种不同半导体接触后，？费米能级较高的半导体界面一侧带 电，达到热平衡后 两者的费米能级 。（正，相等） 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央， 其导带极小值位于 方向 上距布里渊区边界约 0.85倍处，因此属于 半导体。（[100],间接带隙） 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为 ;形成原子空位而无间隙原子的点缺 陷称为 。（弗仑克耳缺陷，肖特基缺陷） 在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为 ，高于费米能 级2kT能级处的占据概率为 。（1/2 , 1/1+exp（2）） 从能带角度来看，锗、硅属于 半导体，而砷化稼属于 半导体，后者 有利于光子的吸收和发射。（间接带隙，直接带隙） 通常把服从 的电子系统称为非简并性系统， 服从 的电子系统称为简 并性系统。（玻尔兹曼分布，费米分布） 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与 有关，而对于不同的半 导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于 的大小。（温度，禁带宽度） 半导体的晶格结构式多种多样的，常见的 Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相 互结合，属于 结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体 通过共价键四面体还可以形成 和纤锌矿等两种晶格结构。 （金刚石，闪锌矿） 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢 k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称 为 禁带半导体，否则称为 禁带半导体。（直接，间接） 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有 、?? ?、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。 （电离杂质的散射，晶格振动的散射） 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类： 的直接复合和通过 禁带内的 进行复合。（电子和空穴，复合中心） 反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为 pn结击穿, 主要的击穿机理有两种： 击穿和 击穿。（雪崩，隧道） 杂质可显着改变载流子浓度； 杂质可显着改变非平衡载流子的寿 命，是有效的复合中心。（浅能级，深能级） 二.选择题 本征半导体是指（ A 本征半导体是指（ A A .不含杂质和缺陷 C.电子密度和空穴密度相等 ）的半导体。 电阻率最高 D.电子密度与本征载流子密度相等 如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（ D ）。 不含施主杂质不含任何杂质 不含施主杂质 不含任何杂质 不含受主杂质 处于绝对零度 有效复合中心的能级必靠近 （? A ?）。? 禁带中部？?????????B.导带？??????????C.价带？????????？D.费米能级 4. 对于只含一种杂质的非简并 n型半导体，费米能级 Ef随温度上升而（ D ) A. 单调上升 B.单调下降 C. 经过一个极小值趋近 Ei D.经过一个极大值趋近 Ei 5. 当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时， 其小注入下的少子寿命正比于 ( A )。 A. 1/nO??????? ?????????B.仏门？？？？？ ？？？？？C. 1/pO??????????D. △ p? 在Si材料中掺入P,则引入的杂质能级（ B ） 在禁带中线处 B.靠近导带底 C.靠近价带顶 D.以上都不是 公式■1 - q . /m中的t是半导体载流子的（ C ）。 A.迁移时间 B.寿命 平均自由时间 D.扩散时间 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（ D ）靠近Ei。 A. E c B. E v C. Eg D. Ef 在晶体硅中掺入元素（ B ）杂质后，能形成 N型半导体。 A.锗 B.磷 C.硼 D.锡 对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（ D ）。 A.平衡载流子浓度成正比 B.非平衡载流子浓度成正比 C.平衡载流子浓度成反比 D .非平衡载流子浓度成反比 重空穴是指（ C ） 质量较大的原子组成的半导体中的空穴 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 自旋一轨道耦合分裂出来的能带上的空穴 电子在导带能级中分布的概率表达式是（ C ）。