第1讲绪论和二极管.pptVIP

模拟电子技术 哈尔滨工程大学 克服内电场，呈现低阻性，电流 大。 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 PN 结正偏导通；反偏截止， 这种性质称 PN 结的单向导电性。 结论： 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 3 PN 结的电容效应 ( 了解 ) 势垒电容 + 扩散电容 B D j C C C ? ? 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 第二节 半导体二极管 一、二极管的结构 按 PN 结 分 点接触 面接触 按 材料 分 硅管 锗管 按 用途 分 普通管 整流管 D Diode 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 二、二极管的伏安特性曲线及电流方程式 1. 二极管的电流方程式 ? ? 1 T U U S I I e ? ? 常温下， U T = 26 mV 反向饱 和电流 温度 电压当量 加正向电压时 / T u U s I I e ? s I I ? ? 加反向电压时 T U U ?? 当 时 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 2 伏安特性曲线 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 二极管的伏安特性 i D = 0 U on = 0.5~0.7 V 0.1~0.3 V ( 硅管 ) ( 锗管 ) 0 ? U ? U on U on ： 开启电压或死区电压 (1). 正向特性 U DQ ? U on U DQ = (0.6 ? 0.8) V 硅管取 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管取 0.2 V 工作电压 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 二极管的伏安特性 U (BR) ? U ? 0 i D = I S 0.1 ? A ( 硅 ) 几十 ? A ( 锗 ) U U (BR) PN 结两端外加的反向电压增加 到一定值时反向电流急剧增大 ( 反向击穿 ) (2). 反向特性 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 三、环境温度对伏安特性曲线的影响 当温度升高时， 正向特性曲线左移。 反 向饱和特性曲线下移。 ? ? ? ? 2 ! 10 2 1 2 T T C S S I T I T ? ? ? 其变化规律为 温度升高时， Uon 减小， Is 增大 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 四、二极管的主要参数 1 最大整流电流 F I 3 最大反向工作电压 R U 4 反向电流 ： 值越小越好 R I 5 最高工作频率 ：决定于结电容的大小 M f 二极管长时间工作时，允许流过的最大正向电流的平均值。 二极管正常使用时允许加的最高反向电压。 使用时应注意流过二极管的正向最大电流不能大于 这个数值，否则可能损坏二极管。 一般取反向击穿电压的一半。 2 反向击穿电压 BR U 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 1. 理想二极管 理想二极管的死区电压和 正向电压降都等于零，反 向电流也等于零，理想二 极管在电路中相当于一个 开关 元件 。 五、二极管的 等效分析 D — 非线性器件 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 问题： 1 、模拟电子技术含义？ 2 、课程学习什么？ 3 、课程怎么学？ 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 一、电子技术的发展 ? 广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电 话、手机 ? 网络：路由器、 ATM 交换机、收发器、调制解调器 ? 工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床 ? 交通：飞机、火车、轮船、汽车 ? 军事：雷达、电子导航 ? 航空航天：卫星定位、监测 ? 医学： γ 刀、 CT 、 B 超、微创手术 ? 消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照 相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的 发展上。 1904 年 电子管问世 1947 年 晶体管诞生 1958 年集成电 路研制成功 模拟电子技术 哈尔滨工