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第42 页 用计算机模拟金属中因氦产生的气泡生长 2003 年 第 2 期 用计算机模拟金属中因氦产生的气泡生长 摘 要：我们进行了金属中氦气泡生长的原子模拟。此处提到的金属采用钯嵌入原子方法位势处理。我们通过金属晶 格内的一个扩展排斥球形位势来处理氦气泡。模拟预测气泡压力随氦对金属比率的增加而单调减小。与气泡生长相关的材 料膨胀也进行了计算。发现膨胀率随着氦对金属比率的增加而增大，这与实验观察到的金属氚化物的膨胀情况相吻合。最 后，我们研究了气泡生长导致的缺陷的详细结构。发现气泡间连接有位错网。与早期的模型假设不同，气泡间并没有遗留 下棱柱环。这些预测都与已有的实验结果进行了比较。 关键词：金属；氦气泡；计算机模拟 引 言 金属或金属氚化物中氦气的积聚会在晶格中形成氦泡，并使晶格发生膨胀[1,2,3]。氦的产生 有两种途径，直接注入或者在氚化物情况下其中的氚放射性衰变产生。本研究的目的是用大尺度 原子模拟技术来研究该过程。尤其对因氦而产生的膨胀和气泡内部总压力进行了评估。另外，还 对气泡生长过程中产生的缺陷的性质进行了研究。原子模拟的一个优点是它可以详细研究最终缺 陷的结构。以前曾经对单个小气泡的生长进行过研究[4]，该工作则是其延续。由于现在已经能够 研究更真实的气泡密度和尺寸，且可以研究多个气泡组成的系统，目前的工作才得以继续下去。 过去已经有多个关于氦泡生长的理论和实验[1,2]。Wolfer 及其合作者通过位错环击压机制 (dislocation loop-punching mechanism)[1,6]研究了气泡生长的条件。这些模型通过棱柱位错环的释 放，分析了与氦泡生长相关的动力学问题。这种模型可预测气泡生长所需的气泡压力。这些处理 方法假定，冲压过程生成位错环后，后者能维持下去。基于这种假设，则可以预测，在气泡阵列 中，气泡压力起初随着气泡的增长而变小，但进一步生长又会使压力迅速增大。气泡的进一步生 长必定会产生新的环，这些新环与气泡已有的位错环间存在互斥作用，而气泡压力的迅速增大则 正是反映了这一点。最近，Chrzan 和Wolfer 提出了一个生长模型[7]，它考虑了通过位错管式扩散 生长的可能性。该模型假设在气泡阵列中，位错段可以联接气泡。这样会存在一个关键性的问题， 即气泡生长过程中产生的位错结构问题。本文将解决该问题。 本文讨论用原子计算机模拟技术研究氦泡阵列的生长。同时监视与生长相关的膨胀和气泡压 力。然后将预测的膨胀情况与监测得到结果相比较以评估模拟的正确性。最重要的是，我们将分 析气泡间缺陷构造的演化，并与现有的气泡连续生长假设进行了比较。 2003 年 第2 期 核武器与高技术 第43 页 计算方法 本文用的基本方法是对气泡生长过程进行显式分子动力学(MD)模拟。在该方法中，气泡生长 过程的动力学处于原子尺度。该方法有两个优点。首先，不需要假设与生长过程相关的详细机理。 该机理不需要模拟原子的集体运动。另一个优点是模拟得到的结果比实验结果更易于详细分析。 由于模拟包含了所有原子的位置，因此就有可能详细分析演化的过程。开发的目的就是在进一步 的研究中利用对缺陷结构演化的定性理解来促进对气泡生长过程的连续性描述。 不过，该方法还是有两个需要注意的局限性，即这些模拟应该在一定的长度和时间范围内进 行。如果需要进行较长时间的模拟，计算系统的规模必须局限在百万原子量级内。对于 fcc 晶格 形式的立方体材料，这意味着材料立方体的一边略小于25nm 。由于金属氚化物中典型的泡间距大 约为 12nm[8]，该模拟方法只能处理很少量的气泡，如例4 中所示那样。该模拟方法的另一个局 限是时间范围。同样由于计算资源的制约，时间范围只能在几个纳秒内。如果处理过程是机械驱 动或是非热过程，这个时间范围也足够了。但如果实际的机制依赖于热活动事件，该模拟方法可 能会忽略这些过程。 分子动力学模拟技术需要了解原子间的相互作用。此处用的方法是嵌入式原子方法(EAM) 。 该方法被广泛用于研究后过渡金属和诺贝尔过渡金属的热学和缺陷性质。Daw 、Foiles 和Basks[9] 详细讨论了该方法，Foiles[10]则讨论了该方法的应用。