矽晶圆材料制造技术.pdfVIP

矽晶圓材料製造技術 1 前 言 2 多晶矽原料 3 單晶成長設備 4 單晶成長程序及相關理論 5 晶圓加工成形(Modification) 6 晶圓拋光(Polishing) 7 晶圓清洗(Wafer Cleaning) 3-1 前 言 物半導體材料中脫穎而出，成為超大型積體電路(ULSI) 之基材，其原因大致可歸納為以下兩項。 (1)矽元素乃地球表面存量豐富的元素之一，而其本身的 導體界捨鍺而轉向矽的重要考量，同時矽與氧形成一穩 電路重要的元件電路設計，然而在高頻需求的元件設計 上，矽材料則沒有如化合物半導體、砷化鎵般的具有高 鎵所取代。 (2) 從製造成本的考量上，目前絕大部份的積體電路用的 晶圓，均由所謂的 成長 單晶，早在五0、六0年代曾有各種推測以浮融帶長 與氫氣還原而附著析出方式成長矽單晶，然而均由於 生產的晶圓材料強度考量（氧含量過低，以致於無法 與矽形成固溶或析出強化機構）或生產經濟效益的無 法突破，而逐步放棄這些單晶成長方法。因此以熔融 固化方式的柴氏法在其不斷的理論模擬與設備及製程 控制的改善上，已成為成長大尺吋晶圓的主流。 前，已由有半導體業界達成共識的下一世代尺寸－300mm 矽晶圓。其每一種直徑之開始量產年代如圖3-1所示，以 正值高峰期，預計此一尺吋產品可維持至下一個世紀仍 般的週期。 矽晶圓材料的製造技術隨著直徑之增大而愈趨複 雜，除了單晶成長的研發之外，在相關的加工成形、拋 光、清洗等下游配合的製程，更由於IC業者愈趨精密及 複雜的元件設計與製造之趨動下，而需更長時間的開發 與突破。 3-2 多晶矽原料 製造矽單晶之起始原料仍然是矽元素，它是從一高純 加熱熔融後，以柴氏法自液相轉成固相的單晶結構，同時 純物之含量。以下將簡介多晶矽原料之製程及設備。 如前言所述，矽元素乃地球表面含量極豐富的元素，祇是 它乃以矽砂（二氧化矽）的狀態存於地表，自此矽砂中將 矽還原出來，為製造高純度多晶矽的第一步。生產過程將 溫加熱，將氧化矽還原成矽，此時矽之純度約98%左右， 體業規格之要求。其化學反應與製程分別如下： (3-1) 物－TCS置於蒸餾塔中，將其他不純物（以金屬鹵化狀 態存在）予以部份蒸餾去除之。 再將此一析出之固態矽擊碎成塊狀的多結晶矽，此一製 稱此法為西門子式多晶矽製程，也是目前最廣為使用之 多晶矽純化製程方法。圖3-2(1)所示為西門子式反應爐 除了此述塊狀矽多晶製程外，最著名的尚有以矽 烷(Monosilane)於流床反應爐中分解析出顆粒狀 1500m m之間，早期以此法所產製之顆粒多晶矽，雖有 較多之表面積以致較高之不純物及氫之污染顧慮，但經 業者不斷創新改良，此疑慮已大致去除，取而代之的優 點是較低之製造成本（能源耗損率低），以及其均勻或 連續填入長晶機之可能性。因此已可逐漸取代一部份塊 狀多晶矽之市場。 3-3 單晶成長設備 3-3-1 石英坩堝 成。高純度的二氧化矽可由四氯化矽與水氣反應生成。 (3-2) 但此法過於昂貴，又有高含量OH鍵，而不適於大坩堝的製作。傳統的坩堝 是用天然純度高的矽砂製成。浮選篩檢後的矽砂，被堆放在水冷式的坩堝 型金屬模內壁上，模具慢速旋轉以刮出適當的矽砂層厚度及高度，然後送 入電弧爐中，電弧在模具中心放出 ，將矽砂融化、燒結、冷卻後，便可取 出一石英坩堝。此坩堝內壁因高溫融化快速冷卻，而形成透明的非結晶質 二氧化矽 ，外壁因接觸水冷金屬模壁部份，矽砂未完全融化，而形成非透 明且含氣泡的白色層。此坩堝再經由高溫電漿處理，讓鹼金屬擴散離開坩 堝內壁，以降低鹼金屬含量，然後再浸渡一層可與二氧化矽在高溫下形成 玻璃陶瓷(Glass Ceramic)的氧化物，以便日後在坩堝使用中同時產生極 細小的玻璃陶瓷層，增強抗熱潛變特性，及降低二氧化矽結晶成白矽石 坩堝內壁表面脫落的困擾。一般而言，坩堝氣孔大小分佈與材料韌性關 3-3-2 長晶爐及生長環境 圖3-3顯示長晶爐實體及其剖視圖。八吋晶棒