3-9集成霍尔传感器测量圆线圈磁场.docxVIP

PAGE PAGE # 物理实验报告 年级专业： 姓名： 学号： 组别： 一、 实验名称：集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场 二、 实验目的：掌握用集成霍尔传感器测量磁场的方法，用实验验证磁场叠加原理。 三、 实验器材：亥姆霍兹线圈磁场测定仪，包括圆线圈和亥姆霍兹线圈平台（包括两个 圆线圈、固定夹、不锈钢直尺等）、高灵敏度毫特计和数字式直流稳压电源。 四、 实验原理： 圆线圈的磁场 根据毕奥一萨伐尔定律，载流线圈在轴线上某点的磁感应强度为： 式中I为通过线圈的电流强度, _%R2 2(R2 x2)3/2 NI R为线圈平均半径，x为圆心到该点的距离， N为线 圈的匝数， ％=4二10 T ? m/A ,为真空磁导率。因此，圆心处的磁感应强度为 % B 0 NI2R 2.亥姆霍兹线圈的磁场 亥姆霍兹线圈：两个半径和匝数完全相同的线圈，其轴向距离等于线圈的半径。 这种线圈的特点是当线圈串联连接并通以稳定的直流电后，就可在线圈中心区域内产生较为均匀性 较好的磁场，因而成为磁测量等物理实验的重要组成部件，与永久磁铁相比，亥姆霍兹线圈所产生 的磁场在一定范围内具有一定的均匀性，且产生的磁场具有一定的可调性，可以产生极微弱的磁场 直至数百高斯的磁场，同时在不通电的情况下不会产生环境磁场。 亥姆霍兹线圈如图所示，是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈，两线圈内电流方向一致，大小相 同，线圈之间距离 d正好等于圆形线圈的半径 R。 设z为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点 O处的距离，根据毕奥一萨伐尔定律及磁场叠加原理可 以从理论上计算出亥姆霍兹线圈轴上任意一点的磁感应强度为 1 B o ? N 2 ? I .R2qR2 +(旦+ zI2] + [R2 2 (f -z)2]-3/2} 而在亥姆霍兹线圈上中心 O处的磁感应强度 Bo为 Bo 8 jN 53/2 R 当线圈通有某一电流时，两线圈磁场合成如图 可看出，两线圈之间轴线上磁感应强度在相当大的范围内是均匀的。 R / B + R 、 1 R 1 2 1 2 3.测量亥姆霍兹线圈磁场的方法一一霍尔效应法 直接测量，设备简单，操作容易，适用于弱磁场和非均匀磁场的测量，霍 尔探头经定标后可直接显示磁感应强度值。 五、实验步骤： 1?载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上各点磁感应强度的测量 （1）先按要求将各导线连接好，直流稳压电源中数字电流表已串接在电源的一个输出端，测量电流1=100 mA时，单线圈a轴线上各点磁感应强度Ba ,每隔1.00 cm测量一个数据。实验中, 随时观察毫特斯拉计探头是否沿线圈轴线移动。每测量一个数据，必须先在直流电源输出电路断 开（1=0）调零后，才测量和记录数据。将测得数据填入表 1中。 （2）用理论公式计算圆线圈中轴线上各点的磁感应强度，将计算结果填入表 1中并与实验测量 结果进行比较。 （3）在轴线上某点转动毫特斯拉计探头，观察一下该点磁感应强度测量值的变化规律，并判断 该点磁感应强度的方向。 （4）将线圈a和线圈b之间的距离d调整到d=10.00 cm，这时，组成一个亥姆霍兹线圈。取电 流值匸100 mA，分别测量两线圈单独通电时，轴线上各点的磁感应强度值 Ba和Bb，然后将亥姆 霍兹线圈在通同样电流l=100mA，在轴线上的磁感应强度值 Ba b，将测量结果填入表2中。证明 在轴线上的点Ba b=Ba + Bb，即载流亥姆霍兹线圈轴线上任一点磁感应强度是两个载流单线圈在 该点上产生的磁感应强度之和。 （5） 分别把亥姆霍兹线圈间距调整为 d=R/2和d=2R,与步骤（4）类似，测量在电流为I=100mA 时轴线上各点的磁感应强度值，将测量结果分别填入表 3和表4中。 （6） 作间距d=R/2,d=R,d=2R时，两个线圈轴线上磁感应强度 B与位置z之间关系图，即B-z图, 验证磁场叠加原理。 载流圆线圈通过轴线平行面上的磁感应线分布的描绘 把一张坐标纸黏贴在包含线圈轴线的水平面上，可自行选择恰当的点，把探测器底部传感器对 准此点，然后亥姆霍兹线圈通过I=100mA电流。转动探测器，观测毫特斯拉计的读数值，读数值 为最大时传感器的法线方向，即为该点的磁感应强度方向。比较轴线上的点与远离轴线点磁感应 强度方向变化情况。近似画出载流亥姆霍兹线圈磁感应线分布图。 注意事项 （1） 接好电路后，打开电源预热10min后才能进行实验。 （2） 每测量一点磁感应强度值时应断开线圈电流（路），在电流为零时调探测器为零， 然后接通线圈电流（路）进行测量和读数。调零的作用是抵消地磁场的影响及其他不稳 定因素的补偿。 （3） 注意平台上的标度尺不要压在载流线圈的轴线上，标度尺应平行于平台的中轴线 并与平台中轴线距离为1.00 cm。 （4） 测量时，探测器的探测孔朝