ZnO透明导电膜的制.pptxVIP

ZnO透明导电膜的制备与应用;ZnO透明导电薄膜原子力显微镜图;1.研究背景 硅薄膜太阳电池和以氢化非晶硅与微晶硅作为吸收层构成的组件来说，陷光作用的强弱对器件性能尤为重要。 近年来，应用最广的透明导电膜是SnO2膜，但其在氢等离子体氛围环境下光学特性发生恶化, 限制了其在薄膜太阳电池中作为透明导电薄膜的应用。 ; ZnO薄膜不仅可以在氢等离子体环境中具有高的稳定性, 而且能够实现优良光电特性的低温生长, 用其制作的具有绒面结构、高电导、高透过率的前电极和高反射的复合背电极相结合形成陷光结构,能大大提高硅薄膜太阳电池对光的吸收效率，从而成为薄膜太阳电池中极具竞争力的透明导电薄膜。; 2.ZnO透明导电膜的制备 目前制备ZnO薄膜主要采用磁控溅射和金属有机化学沉积法（MOCVD）。磁控溅射法制备出的ZnO薄膜较为致密, 电导率通常优于后者。 2.1 磁控溅射法 生长太阳电池用ZnO薄膜的技术当中, 磁控溅射法是研究最多、最成熟的一种制备方法。磁控溅射法制备薄膜太阳电池用ZnO薄膜, 首先是溅射得到镜面ZnO薄膜, 然后用HCl进行湿法刻蚀出绒面结构。 ; 但它是一种高能沉积方法, 粒子轰击衬底或轰击已生长的薄膜表面, 易造成损伤, 因此在用于太阳电池背电极的沉积时较易损坏已经生长好的电池。 2.2 金属有机化学气相沉积法 对于MOCVD工艺, 其生长过程为无粒子轰击的热分解过程, 低温(如150℃ )并且可以实现高速度、大面积、电学特性和厚度均匀的ZnO薄膜生长, 符合产业化的发展要求。 ; MOCVD一般采用二乙基锌DEZn和水H2O作为Zn源O源，硼烷B2H6用作掺杂剂，衬底为7059玻璃。通过控制DEZn的流量可以控制生长ZnO薄膜的速率，进而可以控制薄膜的晶粒尺寸。研究者在10c m x 10c m玻璃衬底上制备了均匀性良好、平均电阻率为1.3 × 10-3Ω. Cm的ZnO薄膜。另外，通过Photo-MOCVD技术，可进一步提高ZnO薄膜特性。实验发现, 在沉积ZnO薄膜过程中利用紫外光照射, 即使低的光强也可以有效提高。 ;2.3 其他技术 利用脉冲激光沉积（PLD）技术制备的ZnO：Al薄膜，最小电阻率ρ=2.5 ×10-4 Ω. Cm，在400 ∽1000nm波长范围内平均透过率T=91%， ZnO：Ga的最小电阻率ρ=2.5 ×10-4 Ω. Cm。除此之外，喷雾热分解技术制备的ZnO薄膜的电阻率大部分在10 -2∽10-3数量级，此方法设备简单，成本低廉，但目前只是小面积材料特性的研究，并未真正应用于太阳电池。 ;3. ZnO薄膜的应用 ZnO薄膜目前主要应用于太阳电池中，其具体体现在①利用TCO/Si界面折射率的等级匹配，适当晶体尺寸粗糙的ZnO-TCO前电极可以作为有效地抗反射层和光散射窗口层 ②在Si和金属层（如Al,Ag）间用ZnO-TCO作为背散射电极，可提高光学特性和充当扩散势垒层 ③ ZnO-TCO应用于非晶硅（a-Si:H）/微晶硅（μc-Si：H）叠层太阳能电池，它作为中间反射层插在顶电池和底电池之间，可以进一步顶电池的电流。;; 其中，ZnO薄膜作为前电极的应用要求是：高透过率、低电阻率、绒面结构和光学薄膜的增透性（一定的薄膜厚度）； ZnO薄膜作为背反射电极的应用条件：高透过率、低电阻率和光学薄膜增反射作用,因此它们的厚度有所区别。此外， ZnO还可以阻挡金属背电极元素（如Al,Ag）向n+层的扩散，改善界面及电池性能。; 尽管目前ZnO-TCO薄膜的研究取得了一定的成果，仍存在不足之处。当前ZnO-TCO薄膜问题主要集中在如何更有效地获得低电阻率、绒面结构、高迁移率、高透过率的ZnO薄膜，研究如何在柔性衬底上生长优质ZnO-TCO薄膜。另外，进一步降低源材料成本, 实现大面积沉积, 加速大规模产业化进程是我们研究的重大课题。;