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锂离子电池保护电路基本知识问答 1． 什么是锂离子电池保护 ic？ 答：在锂离子电池使用过程中，过充电、过放电对锂电池的电性能都会造成一定的影响，为避免使用中出现这种现象，专门设计了一套电路，并用微电子技术把它小型化，成为一 个芯片，该芯片俗称锂电池保护 ic。 2． 保护 ic 外形是什么样的？ 答：保护 ic 外形常用的有两种： 一种称为 SOT-23-5 封装。 另一种较薄 ,称 TSSOP-8 封装。 1 1.1 3． Ic 内部有些什么电路，能大概介绍一下吗？ 答： ic 内部的简化的逻辑图如下： 过电流 过充电 检测 V DD 压检测 V M 短 路 检 过放电 测 压检测 延时电路 V SS DO CO 其各个端口的功能简述如下： VDD ： 1。 IC 芯片电源输入端。 VSS： DO ： CO ： VM ：  2．锂电池电压采样点。 1。 IC 芯片测量电路基准参考点。 2．锂电池负极和 IC 连接点。 IC 对放电 MOS 管的输出控制端 IC 对充电 MOS 管的输出控制端 IC 芯片对锂电池工作电流的采样输入端 2 从简化的逻辑图可见：电池过充电、过放电，放电时电流过大（过电流） ，外围电路短 路，该 ic 都会检测出来，并驱动相应的电子器件动作。 4． Ic 有哪些主要技术指标？ 答： 1）过充电检测电压： V CU 4.275± 25mv （4.25 4.275 4.30） 2）过充电恢复电压： V CL 4.175± 30mv （ 4.145 4.175 4.205） 3) 过放电检测电压： V DL 2.3± 80mv (2.22 2.3 2.38 ） 4) 过放电恢复电压： V DU 2.4± 0.1mv (2.3 2.4 2.5 ) 5) 过电流检测电压： VIOV 1 0.1± 30mv (0.07V 0.1 0.13V) VIOV 2 0.5± 0.1mv (0.4 0.5 0.6 ) 6) 短路检测电压： VSHORT -1.3V (-1.7 -1.3 -0.6 ) 7) 过充电检测延时： tcu 1s （ 0.5 1 2 ） 8) 过放电检测延时 ： tdl 125ms （ 62.5 125 250 ） 9) 过流延时： TioV1 8ms （ 4 8 16 ） TioV2 2ms （ 1 2 4 ） 10）短路延时： Tshort 10us （ 10 50us） 11）正常功耗： 10PE 3uA （ 1 3 6uA ） 12）静电功耗： 1PDN 0.1 uA 5． 锂电池保护电路的 PCB 板上，除了保护 ic 外，还需要哪些元件，才能组成一个完整的保护 PCB？ 答：还需要作为开关功能用的两只场效应管、若干电阻、电容。 6．场效应管是什么样子？ 答：场效应管也称 MOS FET ，在锂电池保护 PCB 上，都是成对使用，因此制造商把两只独立的 MOS FET 封装在一起，其外形通常也有两种： 一种是 SOP-8 封装。见下图： 3 其内部接法如下图： 另一种封装较薄 ,称 TSSOP-8。 其内部接法如下： 7． MOS FET 在电路中起什么作用？它是怎样工作的？ 答： MOS FET 通常有三只脚，分别称为漏极 D、源极 S、栅极 G。它在电子线路中的功能可用下图简单说明。 4 D 简言之， MOS FET 在电子电路中可把它看作是一只特殊的开关。当栅极 G 得到了一个 高电平，右图的开关就闭合；电流在 D.S 之间通过。当栅极 G 得到的不是高电平，而是 低电平，则 D.S 之间开关看作开路，电流不能通过。 8．常听人说 MOS FET 的内阻是多少、多少，到底什么是 MOS FET 的内阻？ 答：如上图所示， D.S 之间的开关闭合时总存在一定的电阻， 这个电阻相当于 MOS FET 的内阻，一般这个电阻很小，都在 10~30mΩ 之间。可见，电流通过 MOS FET ，由于存在内 阻，根据欧姆定律，必然存在电压降，从而损耗掉一部份电能，可见 MOS FET 的内阻应越 小越好。 9． 除内阻外， MOS 管还有哪些主要技术指标？ 答： MOS 管有以下主要技术指标： 1）漏源极耐压值： V DSS 20V 2）漏栅极耐压值： V DGR 20V 3）栅源极耐压值： V GSS 12V 4）漏极最大电流 I D DC 6A Polse 24A 5）漏源极内阻 RDS VGS 2V ID 3A 22mΩ—— 45mΩ VGS 2.5V ID 3A 19mΩ —— 30mΩ VGS 4V ID 3A 16mΩ —— 20mΩ 10．你能较完整地介绍一下保护 PCB 的工作原理吗？ 答：保护 PCB 的完整电原理图如下： 5 IC Ω DO