CMOS型555与双极型555的性能指标异同.docxVIP

CMOS 型 555 与双极型 555 的性能指标异同 CMOS 型 555 与双极型 555 的性能指标异同 双极型５５５和 CMOS 型５５５因其制造工艺和流程的不同，生产出的５５５集成电路的性能指标也有所差异。表１列出了二者的主要电参数指标。 表１ 双极型５５５与 CMOS 型５５５主要电参数双极型５５５和 CMOS 的５５５的共同点： 二者的功能大体相同，外形和管脚排列一致，在大多数应用场合可直接替换。 均使用单电源，适应电压范围大，可与 TTL 、HTL 、CMOS型数字逻辑电路等共用电源。 ５５５的输出为全电源电平，可与 TTL 、HTL 、CMOS 型等 电路直接接口。 电源电压变化对振荡频率和定时精度的影响小。对定时精度的影响仅 0.05%/V ，且温度稳定性好，温度漂移不高于 50ppm/ ℃（即 0.005%/ ℃）。 双极型５５５与 CMOS 型５５５的差异： CMOS 型５５５的功耗仅为双极型的几十分之一， 静态电流 仅为 300μA左右，为微功耗电路。 CMOS 型５５５的电源电压可低至２ ~ ３Ｖ；各输入功能端 电流均为  pA （微微安）量级。 CMOS  型５５５的输出脉冲的上升沿和下降沿比双极型的 要陡，转换时间短。 CMOS  型５５５在传输过渡时间里产生的尖峰电流小，  仅为 2~3mA  ；而双极型５５５的尖峰电流高达  300~400mA  ，如 图１所示。 CMOS 型５５５的输入阻抗比双极型的要高出几个数量级， 高达 1010Ω。 CMOS 型５５５的驱动能力差，输出电流仅为 1~3mA ，而 双极型的输出驱动电流可达 200mA 。 图１ 双极型 555 与 CMOS 型 555 尖峰电流对比 通过上面对两种型号的５５５的比较，在进行电路设计 和应用时，应视具体情况选择型号。一般来说，在要求定时 长、功耗小、负载轻的场合，宜选用 CMOS 型的５５５ .而 在负载重、要求驱动电流大、电压高的场合，宜选用双极型 的５５５ .此外，由于双极型的冲击峰值电流大， 在电路中应 加电源滤波电容，且容量要大。双极型５５５的输出阻抗远 比 CMOS 型的输入阻抗低，一般要在５５５的电压控制功 能端加一去耦电容（ 0.01~0.1 μ ，F）而 CMOS 型５５５可不 加。 CMOS 型５５５的输入阻抗高达 1010Ω 量级，很适合 做长延时电路， RC 时间常数一般很大。 负载驱动能力方面，双极型５５５可直接驱动低阻负载， 如继电器、小直流电机、扬声器等。 CMOS 型５５５只可直 接驱动高阻抗负载。若驱动低阻负载，可在输出端加接三极管驱动，如图２所示。 图２ CMOS 型 555 输出端加接三极管驱动负载