霍尔效应实验大学物理.pdf

霍尔效应实验 主 要 内 容 1. 实验背景、实验目的与实验原理 2. 实验仪器与实验内容 3. 实验思考与实验拓展 磁场的测量 磁场 霍尔效应 特斯拉计-高斯计 霍尔效应 霍尔探头 霍尔效应 什么是霍尔效应？ Edwin Hall 美国 半导体 • 霍尔(Hall)1879年:在长方形导体薄膜上通电流，沿着电 流的垂直方向上施加磁场，就会在与电流和磁场两者垂直 的方向上产生电势差。 • 半个世纪以后人们发现半导体也有霍尔效应，并且比金属 材料还要强 实验原理 • 霍尔效应测量磁场： 霍尔效应装置图 实验原理 • 将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(B 的方向沿z轴方向) ，当沿y方向的电极A、 A’上施加电流I时，薄片内定向移动的载流 子(设平均速率为u)受到洛伦兹力F 的作用： B = 是带电粒子的速度， 是磁感应强度。 • 无论载流子是正电荷还是负电荷，FB的方向 均沿着x的方向，在洛伦兹力的作用下载流 子发生偏移，产生电荷积累，从而产生电位 差和电场。 实验原理 • 由载流子产生的电场对载流子有电场力的作 用： ′ • = = / – 为薄片宽度 • 当 = − 时，达到稳定状态。 ′ – = / • 薄片BB’两端产生的电压为霍尔电压，电场 为霍尔电场，BB’称为霍尔电极。 实验原理 • 设载流子浓度为，薄片厚度为，电流强度： = ∗ ∗ ′ ′ 1 =  • 由此： = ′ = = 1 ′ – 令 =  = ; • 为霍尔系数，体现了材料霍尔效应大小。 ′ – = 