MESFET功率放大器设计：小信号法要点.docxVIP

第七讲 功率放大器设计 MESFET 功率放大器设计：小信号法 基本工程问题 : 没有大信号器件模型 ,怎样设计功率放大器 ? * 许多器件供应商不提供其器件的大信号模型. * 通常提供的唯一设计数据是器件的小信号 S 参数和静态 IV 曲线 . * 利用前面 STEVE CRIPPS 介绍的负载线法 ,根据这些数据足以设计第一类的功率放大器. 功率放大器是大信号器件， 因为在接近功率饱和时其特性呈现非线性。 但许多场合， 设 计师仅有一组小信号 S 参数，在电路仿真时，作为表示有源器件的根据。由于这些 S 参数 只适用于小信号，在大信号时怎样设计最大射频输出功率和线性，并不清楚。 Steve Cripps 提出一种方法，可以用器件的静态 IV 曲线确定大信号负载线阻抗（ RL ），设计第一类放大 器。RL 用做目标阻抗， 即用输出匹配电路表示的管子漏极负载。 用该方法设计师可以对 RF 最大输出功率优化输出电路， 同时对最佳输入匹配和最大增益优化输入电路。 通常输出匹配 较差，这是因为为了输出最大 RF 功率，有意造成一定失配（即：输出匹配对 RL 优化，而 不是对器件的 S22 优化）。 该方法的局限性 仅对最大 Psat 优化 仅对 A 类和 AB 类工作状态有效 无法计算交调产物： IM3 ， IMR5 ， IP3 无法计算谐波电平 无法计算