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IGBT 模块驱动及保护技术 1 引言 IGBT 是MOSFET 与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET 易驱动的特点，又具有功 率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET 与功率晶体管之间，可正常 工作于几十kHz 频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 IGBT 是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V 的直流电压，只有μA级的漏 电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT 的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容（几千至 上万pF ），在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数A 的充放电电流，才能满足开通和关 断的动态要求，这使得它的驱动电路也必须输出一定的峰值电流。 IGBT 作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。 在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引起过电压，为此需要采用 软关断技术，因而掌握好IGBT 的驱动和保护特性是十分必要的。 2 栅极特性 IGBT 的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般 只能达到20～30V ，因此栅极击穿是IGBT 失效的常见原因之一。在应用中有时虽然保证了 栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极－集电极间的电容 耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此。通常采用绞线来传送驱动信号，以减小寄 生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 由于IGBT 的栅极－发射极和栅极－集电极间存在着分布电容Cge 和Cgc ，以及发射极驱 动电路中存在有分布电感 Le ，这些分布参数的影响，使得IGBT 的实际驱动波形与理想驱 动波形不完全相同，并产生了不利于IGBT 开通和关断的因素。这可以用带续流二极管的电 感负载电路（见图1）得到验证。 (a)等 效 电 路 (b)开 通 波 形 图1 IGBT 开关等效电路和开通波形 在t0 时刻，栅极驱动电压开始上升，此时影响栅极电压uge 上升斜率的主要因素只有Rg 和 Cge ，栅极电压上升较快。在t1 时刻达到IGBT 的栅极门槛值，集电极电流开始上升。从此 时开始有2 个原因导致uge 波形偏离原有的轨迹。 首先，发射极电路中的分布电感Le 上的感应电压随着集电极电流ic 的增加而加大，从而削 弱了栅极驱动电压，并且降低了栅极－发射极间的uge 的上升率，减缓了集电极电流的增长。 其次，另一个影响栅极驱动电路电压的因素是栅极－集电极电容 Cgc 的密勒效应。t2 时 刻，集电极电流达到最大值，进而栅极－集电极间电容 Cgc 开始放电，在驱动电路中增加 了Cgc 的容性电流，使得在驱动电路内阻抗上的压降增加，也削弱了栅极驱动电压。显然， 栅极驱动电路的阻抗越低，这种效应越弱，此效应一直维持到t3 时刻，uce 降到零为止。它 的影响同样减缓了IGBT 的开通过程。在t3 时刻后，ic 达到稳态值，影响栅极电压uge 的因 素消失后，uge 以较快的上升率达到最大值。 由图1 波形可看出，由于Le 和Cgc 的存在，在IGBT 的实际运行中uge 的上升速率减缓 了许多，这种阻碍驱动电压上升的效应，表现为对集电极电流上升及开通过程的阻碍。为了 减缓此效应，应使IGBT 模块的Le 和Cgc 及栅极驱动电路的内阻尽量小，以获得较快的开 通速度。 IGBT 关断时的波形如图2 所示。t0 时刻栅极驱动电压开始下降，在t1 时刻达到刚能维持 集电极正常工作电流的水平，IGBT 进入线性工作区，uce 开始上升，此时，栅极－集电极 间电容Cgc 的密勒效应支配着uce 的上升，因Cgc 耦合充电作用，uge 在t1 －t2 期间基本不 变，在t2 时刻uge 和ic 开始以栅极－发射极间固有阻抗所决定的速度下降，在t3 时，uge 及ic 均降为零，关断结束。 由图2 可看出，由于电容Cgc 的存在，使得IGBT 的关断过程也延长了许多。为了减小此 影响，一方面应选择 Cgc 较小的 IGBT 器件；另一方面应减小驱动电路的内阻抗，使流入 Cgc 的充电电流增加，加快了uce 的上升速度。 图 2 IGBT 关 断 时 的 波 形 在实际应用中，IGBT 的uge 幅值也影响着饱和导通压降：uge 增加，饱和导通电压将减 小。由于饱和导通电压是IGBT 发热的主要原因之一，因此必须尽量减小。通常uge 为15～ 18V，若过高，容易造成栅极击穿。一般取 15V。IGB