霍尔法测量通电螺线管内的磁场分布实验讲义.pdf

霍尔法测量通电螺线管内的磁场分布 1879 年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究载流导体在磁场中受力性质时发现了一种 电磁现象，后来此现象被称之为霍尔效应，半个多世纪以后，人们发现半导体材料也有霍尔 效应，而且半导体材料的霍尔效应比金属材料强得多。近30 多年来，由高电子迁移率的半 导体材料制成的霍尔传感器已广泛地应用于磁场的测量和半导体材料的研究上。 制作霍尔传感器的材料有多种:单晶半导体材料中有锗，硅；化合物半导体材料中有锑 化铟，砷化铟和砷化镓等。 在科学技术发展中，磁的应用越来越被人们重视。目前霍尔传感器典型的应用有：磁感 应强度测量仪（又称特斯拉计），霍尔位置检测器，无接点开关，霍尔转速测定仪，100A-2000A 大电流测量仪，电功率测量仪等。在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电” 的理论基础。近年来，霍尔效应实验不断有新发现。1980 年德国冯·克利青教授在低温和 强磁场下发现了量子霍尔效应，这是近年来凝聚态物理领域最重要发现之一。目前对量子霍 尔效应正在进行更深入研究，并取得了重要应用。例如用于确定电阻的自然基准，可以极为 精确地测定光谱精细结构常数等。 【预习提示】 1. 在测量霍尔传感器的灵敏度时，流过霍尔传感器电流的方向对实验结果有没有影响，为 什么？ 2. 在测量通电螺线管内的磁场分布时，为什么流过螺线管的电流要正-反向改变方向，每一 方向下均测量磁场，最后求平均？ 3. 在测量通电螺线管内的磁场分布时，可不可以先给螺线管通正向电流，测量每一个实验 点的磁场大小，再给螺线管通以反向电流，测量每一个实验点的磁场大小，最后，同一位置 的两次测量值求平均值。 【实验目的】 1. 验证霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比，了解和熟悉霍尔效应的重要物理规律。 2. 了解集成霍尔传感器的灵敏度定标的方法。 3. 用集成霍尔传感器测量通电螺线管内的磁感应强度的分布，从而学会用集成霍尔元件测 量磁感应强度的方法。 【实验原理】 1. 霍尔效应 I d 如图 1 所示，若电流 流过厚度为 的半导体薄 片（图中所示为n 型半导体，其载流子为带负电荷的 w B 电子），且磁场 垂直作用于该半导体，则由于受到洛 伦茨力的作用，在薄片b 侧将有负电荷积聚，使薄片 b 侧电势比a 侧低。这种当电流垂直于外磁场方向通 过半导体时，在垂直于电流和磁场的方向，半导体薄 图1 通电载流子在磁场中的运动 片两侧产生电势差的现象称为霍尔效应，产生的电势差称为霍尔电势差，通常用 表示。 U H q B 在霍尔效应中，电荷量为 ，垂直于磁场 的漂移速度为 的载流子，一方面受到磁场力 v F  qvB (1) B 的作用，向某一侧面积聚；另一方面，在侧面上积聚的电荷将在薄片中形成横向电场 ， E H 使载流子又受到电场力 F  qE (2)