最新黄昆班-半导体物理基础复习.docxVIP

mo=9.1O9 382 15(45) X 10A(-31) kg KBT=0.026eV (T=300K) h=6(33)X 10A (-34 ) J ?s Kb=1.3806488(13) X 10八-23J/K Chapter 1 熟悉常见的半导体的三种晶体结构， 并理解他们的解离特性并标注闪锌矿结构 (如GaAS原子坐标。 金刚石结构： 硅、锗；以共价键结合的正四面体，通过 4 个顶角原子又组成 4 个正四面 体，这样的累积形成了金刚石型结构； 由两个面心立方结构套构而成； 每个晶胞中的原子个数： 8 每个原子坐标： (000) ，(? 0 ?), (0 ? ?), ( ? ? 0), ( ? ? ?), ( ? ? ?), (? ? ?), ( ? ? ?) 近邻原子数或配位数： 4 闪锌矿 G aAs、 InP 、 ZnSe、 CdTe 每个晶胞中的原子个数？ 8 每个原子坐标： (000)As ，(? 0 ?)As, (0 ? ?)As, (? ? 0)As, (? ? ?)Ga, (? ? ?)Ga, ( ? ? ?)Ga, ( ? ? ?)Ga 近邻原子数或配位数： 4( 四面体结构 ) 纤锌矿(六方晶系) GaN、ZnO 12数?原胞如何？每个原胞中的原子个 12 数? 原胞如何？ 每个原胞中 的原子个 纤锌矿结构也由两个密排六方结构套构而成？每个晶胞中的原子个数: 每个原胞中的原子坐标: (OOO)Ga，(1/3 2/3 1/2)Ga, (0 0 5/8)N, (1/3 2/3 1/8)N 晶格常数 a 和 c(对 GaN a=0.3189 nm, c=0.5185 nm) 计算金刚石和闪锌矿结构的原子体密度（已知：晶胞晶格常数为 a=0.5nm） 计算半导体 Si的（001）、（ 110）和（111）晶面的原子面密度（晶格常数 a=0.543nm） GaN纤锌矿结构的晶胞和原胞内各分别有多少个原子？ 5?闪锌矿结构的极性方向为001晶向，纤锌矿结构的极性方向为 0001 半导体的解离特性除了与晶面之间的键密度有关，还与成键性质有关 晶格缺陷的种类 Chapter 2 能带导电性：能带中的 能态被电子部分占据 时，外电场可使电子的运动状态 发生改变，从而产生导电性。 能带论：电子能量发生变化的结果是电子从一个能态跃迁到另一个能态 （满 带：不导电，半满带：导电）；禁带宽度或带隙：Eg；禁带大小将直接影响固 体的导电性。 能带形成；金属、半导体和绝缘体的能带区别 常说晶体中的电子是以一个被调幅的平面波在晶体中传播 布里渊区的重要性在于：周期性介质中的所有布洛赫波或能量可在此空间中 完全确定。 能带顶附近的电子总能量小于势能，则意味着动能为负值，也就是曲线曲率 为负值，有效质量为负值，似乎不合常理。换句话说：负的有效质量会导致 负的动能 有效质量的意义：概括了半导体内部势场的作用使得在解决半导体中电子在 外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用；推导出的加 速度公式中， F 并非电子受力总和。实际情形下，电子在外力作用下运动时， 除 F 外，同时还和半导体内部原子、电子相互作用，因此电子的加速度应是 半导体内部势场和外电场作用的总和效果。然而，要找出内部势场的具体形 式并求出加速度遇到困难，引进有效质量后问题变得简单。 点缺陷：空位（受主能级）和缺陷（施主能级） 能否用价带顶电子的状态描述空穴？价带中的导电作用常用空穴 （ 假想的粒 子） 导电描述。 n 型和 p 型半导体 金属中不存在禁带 有效质量的大小与 E-K 曲线的曲率有关 能带底电子的有效质量为正值、能带顶电子的有效质量为负值 空穴的有效质量和荷电性皆为正 空穴和电子在 K 空间的漂移方向一致 直接带隙半导体和间接带隙半导体 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和价带最大值在 k 空间中 同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带） 只需要吸收能量 2?间接带隙半导体材料（如 Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在 k 空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量 对GaAs半导体，Si是双性掺杂剂 电阻率较高的半导体纯度一般比较高 基于类氢模型计算的杂质波尔半径比起氢原子波尔半径要大得多，其原因是 掺杂浓度较低 他们是一些离开导带很近的施主杂质和离开价带很近的受主杂质， 他们都 是 浅能级杂质 多重杂质能级存在时，第二次电离的能级要比第一次深 等电子杂质或陷阱可以成为受主，也可以成为施主 负电性不一样；等电子杂质本身为电中性；电子束缚态与空穴束缚态； 位错既可以具有施主，也可以具有受主特性 一般晶体因晶格在表面处突然终止， 在表面的最外层的每个原子将有一个未配 对的