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MS 电荷密度图、能带结构、态密度的分析 如何分析第一原理的计算结果 用第一原理计算软件开展的工作，分析结果主要是从以下三个方面进 行定性/定量的讨论： 1、电荷密度图（charge density）； 2、能带结构（Energy Band Structure）； 3、态密度（Density of States，简称DOS）。 电荷密度图是以图的形式出现在文章中，非常直观，因此对 于一般的入门级研究人员来讲 不会有任何的疑问。唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形 式，比如差分电荷密图（deformation charge density）和二次差 分图（difference charge density）等等，加自旋极化的工作还可 能有自旋极化电荷密度图（spin-polarized charge density）。所 谓“差分” 是指原子组成体系（团簇）之后电荷的重新分布，“二次” 是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布，因 此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。通过 电荷聚集（accumulation ）/损失（depletion）的具体空间分布， 看成键的极性强弱；通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道 （这个主要是对d 轨道的分析，对于s 或者p 轨道的形状分析我还 没有见过）。分析总电荷密度图的方法类似，不过相对而言，这种图 1 所携带的信息量较小。 能带结构分析现在各个领域的第一原理计算工作中用得非 常普遍了。但是因为能带这个概念本身的抽象性，对于能带的分析是 让初学者最感头痛的地方。关于能带理论本身，我在这篇文章中不想 涉及，这里只考虑已得到的能带，如何能从里面看出有用的信息。首 先当然可以看出这个体系是金属、半导体还是绝缘体。判断的标准是 看费米能级和导带（也即在高对称点附近近似成开口向上的抛物线形 状的能带）是否相交，若相交，则为金属，否则为半导体或者绝缘体。 对于本征半导体，还可以看出是直接能隙还是间接能隙：如果导带的 最低点和价带的最高点在同一个k 点处，则为直接能隙，否则为间接 能隙。在具体工作中，情况要复杂得多，而且各种领域中感兴趣的方 面彼此相差很大，分析不可能像上述分析一样直观和普适。不过仍然 可以总结出一些经验性的规律来。主要有以下几点： 1） 因为目前的计算大多采用超单胞（supercell ）的形式，在一 个单胞里有几十个原子 以及上百个电子，所以得到的能带图往往在远低于费米能级处非 常平坦，也非常密集。原则上讲，这个区域的能带并不具备多大的解 说/ 阅读价值。因此，不要被这种现象吓住，一般的工作中，我们主 要关心的还是费米能级附近的能带形状。 2）能带的宽窄在能带的分析中占据很重要的位置。能带越宽， 也即在能带图中的起伏越大，说明处于这个带中的电子有效质量越 2 小、非局域（non-local）的程度越大、组成这条能带的原子轨道扩 展性越强。如果形状近似于抛物线形状，一般而言会被冠以类sp 带 （sp-like band）之名。反之，一条比较窄的能带表明对应于这条能 带的本征态主要是由局域于某个格点的原子轨道组成，这条带上的电 子局域性非常强，有效质量相对较大。 3） 如果体系为掺杂的非本征半导体，注意与本征半导体的能带 结构图进行对比，一般而言在能新隙处会出现一条的、比较窄的能带。 这就是通常所谓的杂质态(doping state)，或者按照掺杂半导体的类 型称为受主态或者施主态。 4 ） 关于自旋极化的能带，一般是画出两幅图：majority spin 和minority spin。经典的说，分别代表自旋向上和自旋向下的轨道 所组成的能带结构。注意它们在费米能级处的差异。如果费米能级与 majority spin 的能带图相交而处于minority spin 的能隙中，则此 体系具有明显的自旋极化现象，而该体系也可称之为半金属（half metal）。因为majority spin 与费米能级相交的能带主要由杂质原 子轨道组成，所以也可以此为出发点讨论杂质的磁性特征。 5） 做界面问题时，衬底材料的能带图显得非常重要，各高对称 点之间有可能出现不同的情况。具体地说，在某两点之间，费米能级 与能带相交；而在另外的k 的区间上，费米能级正好处在导带和价带 之间。这样，衬底材料就呈现出各项异性：对于