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光刻胶知识大全 光刻胶（Photo Resist ） 光刻胶的定义及主要作用 光刻胶是一种有机化合物， 它受紫外光曝光后， 在显影液中的溶解度会发生变化。 一般 光刻胶以液态涂覆在硅片表面上，曝光后烘烤成固态。 光刻胶的作用： a、 将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中； b、 在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入） 。 光刻胶起源 光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上，然后用一 个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶溶液通常被旋转式滴入 wafer。如图 wafer被装到一个每分钟能转几千转的转盘上。 几滴光刻胶溶液就被滴到旋转中的 wafer 的中心，离心力把溶液甩到表面的所有地方。 光刻胶溶液黏着在 wafer上形成一层均匀的薄 膜。多余的溶液从旋转中的 wafer上被甩掉。薄膜在几秒钟之内就缩到它最终的厚度，溶剂 很快就蒸发掉了， wafer上就留下了一薄层光刻胶。最后通过烘焙去掉最后剩下的溶剂并使 光刻胶变硬以便后续处理。镀过膜的 wafer对特定波成的光线很敏感，特别是紫外（ UV ） 线。相对来说他们仍旧对其他波长的，包括红，橙和黄光不太敏感。所以大多数光刻车间有 特殊的黄光系统。 光刻胶的主要技术参数 a、 分辨率（resolution ）。区别硅片表面相邻图形特征的能力。 一般用关键尺寸（CD, Critical Dimension ）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 b、 对比度（Contrast）。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图 形的侧壁越陡峭，分辨率越好。 c、 敏感度（Sensitivity ）。光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值 （或 最小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米或 mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光 （DUV ）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。 d、 粘滞性/黏度（Viscosity）。衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂 的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶； 越小的粘滞性，就有越均匀的光 刻胶厚度。 光刻胶的比重（SG，Specific Gravity ）是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含 量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。 粘度的单 位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。百分泊即厘泊为绝对粘 滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率 =绝对粘滞率/比重。 单位：百分斯托克斯（cs） = cps/SGo e、 粘附性（Adhere nee）。表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅 片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等） 。 f、 抗蚀性（Anti-etching ）。光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底 表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。 g、 表面张力(Surface Tension)。液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光 刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。 h、 存储和传送(Storage and Transmission)。能量(光和热)可以激活光刻胶。应该存储 在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。 一旦超过 存储时间或较高的温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。 光刻胶的分类 a、 根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类：负性光刻胶和正性光刻胶。 负性光刻胶(Negative Photo Resist )。最早使用，一直到 20世纪70年代。曝光区域发 生交联，难溶于显影液。特性：良好的粘附能力、良好的阻挡作用、感光速度快；显影时发 生变形和膨胀。所以只能用于 2艸的分辨率。 正性光刻胶(Positive Photo Resist )。20世纪70年代，有负性转用正性。正性光刻胶的 曝光区域更加容易溶解于显影液。特性：分辨率高、台阶覆盖好、对比度好；粘附性差、抗 刻蚀能力差、高成本。 b、 根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分：传统光刻胶和化学放大光刻胶。 传统光刻胶。适用于I线(365nm )、H线(405nm)和G线(436nm)，关键尺寸在0.35叩 及其以上。 化学放大光刻胶(CAR , Chemical Amplified Resist )。适用于深紫外线(DUV )波长的光 刻胶。KrF (248nm )和 ArF (193nm )。 光刻胶的化学性质 a、 传统光刻胶：正胶和负胶。 光刻胶的组成：树脂(resi n/polymer)，光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶