现代半导体器件物理复习题.docxVIP

  • 127
  • 0
  • 约1.64万字
  • 约 11页
  • 2021-02-02 发布于天津
  • 举报
如对您有帮助欢迎下载支持谢谢如对您有帮助欢迎下载支持谢谢半导体器件物理复习题简述波动方程的物理意义及求解边界条件简述隧道效应的基本原理什么是半导体的直接带隙和间接带隙什么是概率函数和能级写出与态密度和概率函数的关系什么是本征能级在什么条件下本征能级处于中间能带上简述硅半导体中电子漂移速度与外加电场的关系简述效应基本原理解释为什么电压极性跟半导体类型型或型有关定性解释低注入下的剩余载流子寿命一个剩余电子和空穴脉冲在外加电场下会如何运动为什么当半导体中一种类型的剩余载流子浓度突然产生时半导体内的净电

如对您有帮助,欢迎下载支持,谢谢! 如对您有帮助,欢迎下载支持,谢谢! PAGE PAGE # 半导体器件物理复习题 1. 简述 Schrodinger 波动方程的物理意义及求解边界条件。 2. 简述隧道效应的基本原理。 3. 什么是半导体的直接带隙和间接带隙。 4. 什么是 Fermi-Dirac 概率函数和 Fermi 能级,写出 n(E) 、p(E) 与态密度和 Fermi 概率函数的关系。 5. 什么是本征 Ferm 能级?在什么条件下,本征 Ferm 能级处于中间能带上。 6. 简述硅半导体中电子漂移速度与外加电场的关系。 7. 简述 Hall 效应基本原理。解释为什么 H

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档