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相对磁导率(R)。在无线电频率范围内测量材料的复介电性能因其应用广泛从而得到越來越多的 重视,尤其是在我们很多熟知的研究领域,如材料科学,微波电路设计,吸收器 开发,生物研究等C介电测量的重要性体现在它可以提供材料电或磁的特性,被 证明是可用于众多多研究和发展领域。许多方法已被开发来测量这些复杂的属性, 如在时域或频域的方法;单端口或双端口的测量方法,但每个方法都受限于特定 频率的性质和M用程序制约因素。随着新技术的不断岀现和发展,现在可以将使 用矢量网络分析仪测量的反射和透射系数,通过适当的软件程序进行计算,将数 据转换为复介电常数性能参数。矢量网络分析仪是一类功能强大的仪器,正确使 用时,可以达到极高的精度。它的应用也十分广泛,在很多行业都不可或缺, 尤具对测量射频(RF)
相对磁导率(R)。
介电性能的测量包括测量材料的复数相对介电常数(r)和缴 复的介电常数由英实部和虚部组成。复介电常数的实部是一个测量的材料从外部 电场所获得能量储存在材料中的部分。虚部是损耗因子(理想无损材料为零)。它 是衡量的是材料由于外部电场而导致的能量损失。ghost也被称为耗散因子。
与Z类似的复磁导率的实部表示材料在外部磁场中储存的能量,而虚部代表消散 由于磁场的能量的量。以上的复磁导率的测量是只适用丁磁性材料。大多数材料 是非磁性的,因此,磁导率非常接近的真空磁导率。
网络分析仪的功能Z—就是量化两个射频元件间的阻抗不匹配,最大限度地提高 功率效率和信号的完整性。每当射频信号由一个元件进入另一个时,总会有一 部分信号被反射,一部分被传输。通过反射系数和传输系数,用户就可以更深入 地了解待测设备(DUT)的性能。根据能量守恒定律,被反射的信号和传输信号的 能量总和等于原信号或入射信号的能量。
Device Under TestTransmitted Wave (B)Reflected Wave (A)(OUT)
Device Under Test
Transmitted Wave (B)
Reflected Wave (A)
(OUT)
Transmission Coefficient = T =
厂 A
Reflection Coefficient = 1=—
反射系数(D和传输系数⑴分别对应反射信号和传输信号与入射信号z比。下图 所示的是这两个矢量。现代网络分析通过散射参数或s?参数丰富了这一理论。
S■参数是复矢量,它们代表了两个射频信号的比值。S?参数包含幅值和相位, 对应笛卡尔坐标表示为实部和虚部。S■参数用Sxy表示,其中X代表被测量的 DUT输出端,Y代表入射RF信号激励的DUT输入端。
S[2
S定义为端口 1反射的能量与端口 1入射信号Z比。S2I定义为通过DUT传输到 端口 2的能量与端口 1的入射信号Z比。S“和S21为前向S-参数,这是因为入射 信号来自端U 1的射频源。对于端口 2的入射源,S22为端口 2反射的能量与端 口 2入射信号Z比,Sf为通过DUT传输到端口 1的能量与端口 2入射信号Z比。 它们都是反向S-参数。表征传输的S-参数,如S2”类似于增益、插入损耗、衰 减等其它常见术语。表征反射的S-参数,如S”对应于电压驻波比(VSWR)、回 波损耗或反射系数。S-参数还具有其他优点。它们被广泛认可并应用于现代射 频测量。对于互易网络,有:S12 = S21;对于对称网络,有:S11=S22对于无耗 网络,有:(S11) 2+ (S12) 2 = 1 ;且S参数可轻松转换成H、Z或其他参数。 多个设备可进行S-参数级联,以生成综合结果。更重要的是,S参数用比率表 示。因此,用户无需将入射源功率设置为某个绝对值。DUT的响应会反映输入 信号的任何偏移,且当计算传输信号或反射信号与入射信号Z比时,会对偏移进 行补偿。
网络分析仪有四个基本功能模块,如下图所示:
DisplayProcessorTest Set
Display
Processor
Test Set
Signal Source
通过S参数求导电磁参数目前方法比较多各有优缺点:
测量方法
试样
所需S参数
可得电磁参数
传输/反射法T/R
同轴,导波
Sil, S21
r, |lr
开放端口探测
液体,生物体,凝胶
S11
r,
自由空间
耐高温材料,气体, 长立扁平固体材料
Sil, S21
r, |lr
谐振方法
液体,圆棍样固体, 导波
频率,Q因子
r, W
传输/反射线法是一种流行的宽带测量方法。在该方法中,只有基本波导模式(TEM模式在 同轴线路和TE在波导模式)被假定为传播。
传输/反射线法的优点
同轴线和波导通常用于测彊屮高损耗样品。
川同时确定被测材料的介电殆数和导磁率
传输/反射线法的缺点
山于空气间隙的存在,测量精度相对不高。
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