反激稳压电源的设计方案及分析.docxVIP

基于UC3844的反激稳压电源的设计及分析 0引言 随着现代科技的飞速发展，功率器件也不断更新， PWM技术的发展也日趋完善 开关电源正朝着小、轻、薄的方向发展。由于反激变换器具有电路拓扑简单、输入电压范 围宽、输入输出电气隔离、体积重量小、成本低、性能良好、工作稳定可靠等优点，被广 泛应用于实际变换器设计中。以前大多数开关电源采用离线式结构，一般从辅助供电绕组 回路中通过电阻分压取样，该反馈方式电路简单，但由于反馈不是直接从输出电压取样， 没有与输入隔离，抗干扰能力也差，所以输出电压中仍有 2%的纹波，对于负载变化大和 输出电压变化大的情况下响应慢，不适合精度较高或负载变化范围较宽的场合。下面的设 计采用可调式精密并联稳压器 TL431配合光耦构成反馈回路，达到了更好的稳压效果。 芯 片的介绍 UC3844是美国Unitrode公司生产的一种高性能单端输出式电流控制型脉宽调制器芯 片，由该集成电路构成的开关稳压电源与一般的电压控制型脉宽调制开关稳压电源相比具 有外围电路简单、电压调整率好、频响特性好、稳定幅度大、具有过流限制、过压保护和 欠压锁定等优点。其内部电路结构如图 1所示。 ；(2)Vfb(7JVCCUVLOi(5)GND电浣比较器{斗)RT/CTi{IKOM(3)l$en(町中reg欠压锁定电路(6JOUTj ；(2)Vfb (7JVCC UVLO i(5)GND 电浣比较器 {斗)RT/CTi {IKOM (3)l$en (町中reg 欠压锁定电路 (6JOUTj 图1 UC3844的内部框图 该芯片的主要功能有：内部采用精度为 ±2 . 0%的基准电压为5. 00V，具有很高的温度 稳定性和较低的噪声等级；振荡器 target=_blank 振荡器的最高振荡频率可达 500kHz。 内部振荡器的频率同脚 8与脚4间电阻Rt、脚4的接地电容Ct的关系如式(1所列，即 f (1) 其内部带锁定的 PWM(Pulse Width Modulatio n ，可以实现逐个脉冲的电流限制；具有图 腾柱输出，能提供达1A的电流直接驱动 MOSFET功率管。 2电源的设计及稳压工作原理 单端反激变换器，所谓单端，指高频变压器 target=_bla nk 变压器的磁芯仅工作在磁 滞回线的一侧，并且只有一个输出端；反激式变换器工作原理，当加到原边主功率开关管 的激励脉冲为高电平使 MOSFET、开关管导通时，整流后的直流电压加在原边绕组两端， 此时因副边绕组相位是上负下正，使整流二极管 整流二极管反向偏置而截止，磁能就储存 在高频变压器的原边电感线圈中；当驱动脉冲为低电平使 MOSFET开关管截止时，原边绕组两端电压极性反向，使副边绕组相位变为上正下负，则整流二极管正向偏置而导通，此 后储存在变压器中的磁能向负载传递释放。 图2中MOSFET功率开关管的源极所接的 R12是电流取样电阻，变压器原边电感电流 流经该电阻产生的电压经滤波后送入 UC3844的脚3,构成电流控制闭环。当脚 3电压超 过1V时，PWM锁存器将封锁脉冲，对电路启动过流保护功能； UC3844的脚8与脚4间 电阻R16及脚4的接地电容C19决定了芯片内部的振荡频率，由于 UC3844内部有个分频 器，所以驱动MOSFET功率开关管的方波频率为芯片内部振荡频率的一半；图 3中变压器 原边并联的RCD缓冲电路是用于限制高频变压器漏感造成的尖峰电压。变压器副边整流二 极管并联的RC回路是为了减小二极管反向恢复期间引起的尖峰。 MOSFET功率管旁边的R CD缓冲电路是为了防止 MOSFET功率管在关断过程中承受大反压。缓冲电路的二极管一 般选择快速恢复二极管，而变压器 ! 错误 3*5X1光耦过来的反谶 IOUFCOMP》i r* k rVREF 3 * 5 X 1 光耦过来的反谶 I OUF COMP》 i r* k r VREF ISEN GND RT/CT 7 6 8 4 U UC3844 103/1K IRFPF50 104 II 22kQ ll_IF 472 心 IkQT Ikfl4=471 Ikfl 4= 471 05/2W 图2 MOSFET功率管驱动电路及UC3844的外围电路 二次侧的整流二极管一般选择反向恢复电压较高的超快恢复二极管。 舟U8100E滤波后接负欝 sLRr15OK/2WHR sL Rr 15OK/2W 103/lkV D,初 FR107 i 接 MOSFETI^ 图？ 变压器的外围电路 104 104 JOkfi i 1 470 lkD L T fO.OhiF 10kQ 图4 由TL431及光耦组成的输出电压反馈电路 电路的反馈稳压原理：（输出电压反馈电路如图 4所示，当输出电压升高时，经两电阻尺R6、R7分压后接到T