参考资料霍尔探针与磁场量测—线圈磁场的观察..docxVIP

參考資料：霍爾探針與磁場量測—線圈磁場的觀察 、簡介： 電磁場的測量不論在實驗室或工程上都是一種重要的基本測量。不像電場 樣，磁場卻是很容易測量的。而一種方便又精確的方法，就是使用霍爾探針 做測量。本實驗主要是學習霍爾探針的原理，及利用它來驗證靜磁學理論所 預測的現象。 、原理： 1.霍爾效應： 當一四方體（寬a，高b ）載流導體至於磁場中時（電流方向 x-axis垂 直於磁場方向z-axis ），由F a B q xBz?得知，電荷會受到 一個垂直於運動方向（y方向）的磁力，使電荷往導線一邊（y-axis 累積，如下圖所示。 x ?V+Iz ky ?o, ；，o0, x ? V + I z k y ? o, ；，o 0, a ,0 2 此電荷累積產生一垂直電流方向（y方向）的電場Ey，其電力與磁力方 向相反。當累積到某個程度時，作用在電荷的電力與磁力遂互相抵消， 此現象稱為霍爾效應。而此時的電壓差叫霍爾電壓，其關係為 a aVh V 0,；,0 V 0, a a Vh V 0,；,0 V 0, -,0 2 2 a a2 Eydy aEy a xBz 2 IB Nqb Rh b IB (1) 其中， 其中，total current I=Nqab ，N： of cross sect ion of the con ductor charge carrier density ，ab: area ，Vh：霍爾電壓所跨越的晶片寬度， 霍爾係數。對半導體而言:Rh 霍爾係數。對半導體而言: Rh Rh : 其中，p,n :電洞、電子密度，卩p,卩n：電洞、電子漂移率，t: carrier collision time 。上式（1）經整理可得2VhR?T因此，我們可利用測量霍爾電壓而量得磁場在垂直於導體之分量。一般 而言，半導體之Rh大於金屬數個數量級，所以一般霍爾探針皆採用半導 體晶片。2.感應線圈軸上磁場:由Biot-Savart collision time 。上式（1）經整理可得 2Vh R?T 因此，我們可利用測量霍爾電壓而量得磁場在垂直於導體之分量。一般 而言，半導體之Rh大於金屬數個數量級，所以一般霍爾探針皆採用半導 體晶片。 2.感應線圈軸上磁場: 由Biot-Savart 定律，在一圓形線圈軸上離圓心 稱軸，其大小為 olb 2 b2 z2 z處的磁場方向沿著對 （3） 其中b是線圈半徑，I為線圈電流，z為待求磁場高度。若線圈有 則 °nlb 2 b2 z2 32 n 圈, （4） 經由上式推演，我們可得Helmholtz 線圈產生之磁場，此為許多需要外 加磁場時常用的設備，Helmholtz coil 包含兩個完全一樣的圓形導線圈 （半徑二a，n turns ），將兩個圓形導線圈平行同軸置放，距離為 a，見 下圖。 Helmholtz coil 產生之磁場（軸向z-axis ）可由式（4）求得: Bz Bz °nIb 2 1 2 z 2 a 2 1 32 2 32 2 2 a 2 a z a 3.長直導線的磁場： 由 Ampere law 得知, o I rr 其中，r為待測點到線的距離。實驗時，如果I太小，則r也必須很小, 才能使B夠大到儀器所能感測到的程度，或者增加導線數目來增加總電 流。 三、儀器與說明： 高斯計、霍爾探針(transverse )、數位式三用電錶、電源供應器、 Helmholtz coil (直徑 13.6cm )、長直導線。 *說明： (A)高斯計：本實驗所使用的高斯計其型號為 F.W.Model6010 ，主要應用 霍爾效應的原理來測量 DC磁場，面板如下圖所示。先就功能說明如下: 10 ■■ MANUAL RANGEAC崛 ?崛=RANGE AC/DC UNITSDOO IDATOVE ”HOLDRESET11TEMP - MB ■■ MANUAL RANGE AC 崛 ?崛= RANGE AC/DC UNITS DOO ID ATOVE ” HOLD RESET 11 TEMP - MB TC PEAK HOLD ZERO PROBE RELATIVE MAX HOLD LO HI MIN HOLD 广 口 口，Qf POWER 口 PROBE 7 8 Display Display Probe Conn ector Range AC/DC 1 Power Switch 電源開關 顯示面板 連接霍爾探針，注意：要拔掉探針時，先 按住探針接頭再拔出，不可拉扯電纜線。 自動或手動選擇探測範圍 選擇交流或直流電磁場 6 Units 選擇探測單位 7 Zero 歸零鍵，測量微弱磁場時使用，每次探測 前需做歸零動作。 8 Re; atove 測量相對磁場，使用後所有測量磁場將是 原本磁場的