硅片切割技术方程式.docxVIP

硅片切割是电子工业主要原材料一硅片 （晶圆）生产的上游关键技术，切割的质量与规模直 接影响到整个产业链的后续生产。在电子工业中，对硅片的需求主要表现在太阳能光伏发 电和集成电路等半导体产业上。 光伏发电是利用半导体材料光生伏打效应原理直接将太阳辐射能转换为电能的技术。资 料显示，太阳能每秒钟到达地面的能量高达 80万千瓦，假如把地球表面 0.1%的太阳能转 为电能，转变率5%,每年发电量可达 5.6 XI012千瓦小时，相当于目前世界上能耗的 40 倍。随着全球矿物资源的迅速消耗，人们环保意识的不断增强，充分利用太阳的绿色能源 被高度重视（图1.1为近年来全球太阳能电池产量），发展势头及其迅猛。 全球犬阳能电池产量 3500 3000 2500 2000 TT 酩丘 I2S.* ISKfr TT 酩丘 I2S.* ISKfr KI U鹘 NHi 2SBD 坯筲 1500 1000 600 晶体硅片是制作光伏太阳能电池的主要材料，每生产 1MW的太阳能电池组件需要 17 吨左右的原料。Clea n Edge预计，全球太阳能发电市场的规模将从 2005年的110亿美元猛 进增到2015年的510亿美元，以芯片著名的 硅谷”将被 太阳谷”所取代。显然太阳能产业 的迅猛发展需要更多的硅原料及切割设备来支撑。 除太阳能电池外，硅片的巨大需求同样表现在集成电路等半导体产业上。硅占整个半导 体材料的95%以上，单晶硅片是半导体器件生产的关键性基材，是当之无愧的电子产业的 基础支撑材料。2005年我国集成电路产业消耗的电子级多晶硅约 1000吨，太阳能电池多 晶硅约1400吨；2006年，我国集成电路产业消耗的电子级多晶硅约 1200吨，太阳能电池 多晶硅约3640吨。预计到2010年，电子级多晶硅年需求量将达到约 2000吨，光伏级多晶 硅年需求量将达到约 4200吨。随着全球各国能源结构的调整，绿色能源的推广和近年来半 导体产业的超常规发展，硅片市场的供需已极度不平衡。硅原料的供不应求，切割加工能力的落后和严重不足构成了产业链的瓶颈，严重阻碍了我国太阳能和半导体产业的发展。 因此，未来的3至5年间，将是中国晶硅产业快速发展的黄金时期。 1硅片切割的常用方法： 硅片加工工艺流程一般经过晶体生长、切断、外径滚磨、平边、切片、倒角、研磨、腐 蚀、抛光、清洗、包装等阶段。近年来光伏发电和半导体行业的迅速发展对硅片的加工提 出了更高的要求（图1.2）:—方面为了降低制造成本，硅片趋向大直径化。另一方面要求硅 片有极高的平面度精度和极小的表面粗糙度。所有这些要求极大的提高了硅片的加工难 度，由于硅材料具有脆、硬等特点，直径增大造成加工中的翘曲变形，加工精度不易保 证。厚度增大、芯片厚度减薄造成了材料磨削量大、效率下降等。 | 1992 199S 1698 2001 2007 品埒田廿mi n 300 200 200 300 300 300 400 300 400 客* 64M IG 工 1SG 加工成亦C 5 :nV } 0 3.日 3 8 3. 7 3. a 3.5 戦陥密虞＜ NCn/ 3 0 1 I 05 0 03 0. 01 a oo4 □ oaz 硅片切片作为硅片加工工艺流程的关键工序，其加工效率和加工质量直接关系到整个硅 片生产的全局。对于切片工艺技术的原则要求是：①切割精度高、表面平行度高、翘曲度 和厚度公差小。②断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率，缩小刀 （钢丝） 切缝，降低原材料损耗。④提高切割速度，实现自动化切割。 目前，硅片切片较多采用内圆切割和自由磨粒的多丝切割 （固定磨粒线锯实质上是一种 用线性刀具替代环型刀具的内圆切割 ）。内圆切割是传统的加工方法（图 1.3a）,材料的利 用率仅为40%?50%左右；同时，由于结构限制，内圆切割无法加工 200mm以上的大中 直径硅片。 （a）为内圆切割 （b）为多丝切割 图1.3多丝切割与内圆切割原理示意图 多丝切割技术是近年来崛起的一项新型硅片切割技术，它通过金属丝带动碳化硅研磨料 进行研磨加工来切割硅片（图 1.3b）。和传统的内圆切割相比，多丝切割具有切割效率 高、材料损耗小、成本降低 （日进NWS6X2型6”多丝切割加工07年较内圆切割每片省 15 元）、硅片表面质量高、可切割大尺寸材料、方便后续加工等特点 （见表1.1）。 特点 多丝切割 内圆切割 切割方法 研磨 磨削 硅片表面特征 丝痕 断裂碎片 破坏深度（um） 5--15 20--30 生产效率（cm2/hr） 110--200 10--30 每次加工硅片数 200--400 1 刀损（um） 180--210 300--500 硅片最小厚度（um） 200 350 可加工硅碇直径（mm