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Hi3531DV100/Hi3521DV100 U-boot 移植应用 开发指南 文档版本 00B05 发布日期 2017-11-20 所有 © 深圳市海思半导体 2016-2017。保留一切权利。 商标声明 、海思和其他海思商标均为深圳市海思半导体 的商标。 本文档提及的其他所有商标或 商标，由各自的所有人拥有。 注意 您购买的产品、服务或特性等应受海思公司商业合同和条款的约束，本文档中描述的全部或部分产 品、服务或特性可能不在您的购买或使用范围之内。除非合同另有约定，海思公司对本文档内容不 做任何明示或默示的声明或保证。 由于产品版本升级或其他原因，本文档内容会不定期进行更新。除非另有约定，本文档仅作为使用 指导，本文档中的所有陈述、信息和建议不构成任何明示或暗示的担保。 深圳市海思半导体 地址： 深圳市龙岗区坂田 基地 电气生产中心 邮编：518129 ： 客户服务电话： +86-755 客户服务传真： +86-755 客户服务邮箱： support@hisilicon. Hi3531DV100/Hi3521DV100 U-boot 移植应 用 开发指南 前 言 前 言 概述 本文档主要介绍在 Hi3531DV100/Hi3521DV100 单板上如何移植和烧写 U-boot （Hi3531DV100/Hi3521DV100 单板的 Bootloader ）的相关操作及如何使用ARM 调试工 具。 产品版本 与本文档相对应的产品版本如下。 产品名称 产品版本 Hi3531D V100 Hi3521D V100 读者对象 本文档（本指南）主要适用于以下工程师： 技术支持工程师 软件开发工程师 修订记录 修订记录累积了每次文档更新的说明。最新版本的文档包含以前所有文档版本的更新 内容。 海思专有和保密信息 文档版本 00B05 (2017-11-20) i 所有 © 深圳市海思半导 Hi3531DV100/Hi3521DV100 U-boot 移植应 用 开发指南 前 言 修订日期 版本 修订说明 2017-11-20 00B05 第 5 次临时版本发布。 2.5 小节，路径前面加“./”和内容涉及修改。 3.3.1 小节和 3.3.2 小节涉及修改。 4.4.3 小节，涉及更新。 2017-05-27 00B04 第 4 次临时版本发布。