大二下模电07-半导体三极管.pdfVIP

1.2 半导体三极管 半导体三极管有两大类型 1.双极型半导体三极管（三极管） 双极型半导体三极管是由两种载 流子参与导电的半导体器件，它由两 个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。 2.场效应半导体三极管（场效应管) 场效应型半导体三极管仅由一种 载流子参与导电，是一种VCCS器件。 1.2.1 三极管的结构及工作原理 1.2.2 三极管的基本特性 1.2.3 三极管的主要参数及电路模型 1.2.1三极管的结构及工作原理 极型 导 极管 结 示 图 一侧一侧称为发射区称为发射区，电极称为发 另一侧称为集电区和集电极 用E或e表示（Emitter）； 用C或c表示（Collector ）。 e 为集电结(Jc) 中间中间部分称为基区部分称为基区，连上电极称为基极 用B或b表示（Base）； 双极型三极管的符号在图的下方给出，发 射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 工艺要求： 1.发射区的掺杂浓度大， 2.集电区掺杂浓度低，且集电结面积大， 3.基区要制造得很薄，其厚度一般在几个 微米至几十个微米。 1. 三极管的电流分配与控制 双极型半导体三极管在工作时一定要加上 适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态： 发射结加正向电压，集电结加反向电压。 双极型三极管的电流传输关系(动画2-1) I = I + I E EN EP 且有IENIEP I =I + I EN CN BN 且有I I EN BN I I CN BN I =I + I C CN CBO I =I + I －I B EP BN CBO I =I +I =I +I +I E EP EN EP CN BN =(I +I )+(I +I －I ) CN CBO BN EP CBO I I I E = C+ B 由以上 可知，发射区掺杂浓度高，基 区薄，集电区大面积是保证三极管能够实 现电流控制的关键。若两个PN结对接，相 当基区很厚，所以没有电流放大作用，基 区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这 是量变引起质变的又一个实例。 2. 三极管的电流关系 (1)三种组态 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法 基极作为公共电极，用CB表示。 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; (2)三极管的电流放大系数 定义:   I / I CN E 称为共基极直流电流放大系数  的值小于1, 但接近1。 I =I +I = I +I C CN CBO  E CBO C E  表示集电极电流I 和发射极电流I 之间的关系 I = I +I C  E C