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第 1 章 半导体器件的特性 知识点归纳 杂质半导体与 PN结 在本征半导体中掺入不同杂质就形成 N 型和 P 型半导体。半导体中有两种载流 子，自由电子和空穴，载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动，因电位差而产生 的运动成为漂移运动。在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体，在它们的 交界面上，上述两种运动达到动态平衡，就形成了 PN 结。其基本特性是单向导电 性。 半导体二极管 一个 PN结引出电极后就构成了二极管， 加上正向偏压时形成扩散电流， 电流与电压呈指数关系，加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小。体现出单向导电性。 晶体管 晶体管具有电流放大作用，对发射极正向偏置集电极反向偏置时，从射区流到 基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流 I B ，而大部分 在集电结外电场作用下形成漂移电流 IC ，体现出 IB对 IC 的控制，可将 IC 视为 IB控 制的电流源。晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。 4. 场效应管 场效应管是电压控制器件， 它通过栅 - 源电压的电场效应去控制漏极电流， 因输 入回路的 PN结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。 场 效应管局又夹断区（即截止区） 、横流区（即线性区）和可比阿安电阻区三个工作区域。 学完本章后应掌握： 熟悉下列定义、概念和原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷