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CCM BUC和DCM BUC电路的优劣 上次拆解了一个米用 BUCK PFC做的电源，其 BUCKT作在DCM模式，我不理解为什么要米用 DCM BUCK而不 采用CCM BUCK看其用料，应该是不计成本的，那就应该是在效率、 PF值、功率密度、温升、EMC,之间 做了取舍吧？ javike 个人认为： DCM BUC相对于CCM BUC来说，可以减小电感匝数，减小开关管的电流应力，但需增大了电感线径，工作 峰值电流会加倍，有效值电流也会较大，输出二极管的电流应力较大，这样会导致温升升高， EMC处理难度 加大。 对功率密度，PF值和效率的影响就不好判断了，期待大家来讨论下。 小凡凡个人理解： 这个应该跟BCM-BOOSTPF是一个道理，BCM（ DCM模式下的效率比 CCM莫式高，假设输出功率不高的话，各 元器件的电流应力其实并不大。即使是 BUCK-PFC其输出电压依然超过 100V, CCM莫式下功率半导体器件的 选型，应该也要比BCM模式下困难很多。没有具体分析，计算，仅代表 “临时性的观点 ”可以确定的是, BUCK-PFC^变压器设计的贡献是无与伦比的（尤其反激）。 BUCK-PFC输出电压一般低与 100V，因为100V以下的电容体积相对小很多， MOS管的RON也会小很多，可以 说是一道坎。 MOST和二极管的电流应力是相差不到，但电感的峰值电流会大 1倍多。 DCM莫式效率会比CCMW?- -定是 吗？为什么呢？ 根据BUCK原理，降压比越大，效率越低。所以 220VAC输入，+HVDC=300, BUCK电压最好不要过低。 个人观点： 1、BCM模式可以采用较小的变压器（磁芯）； 2、BCM莫式变压器的气隙很小，边缘磁通损耗较小（或许辐射会有所改善）； 3、 BCM莫式下，半导体几乎不存在反向恢复损耗（也会改善 EMI）； 4、 BCM莫式下，电流应力确实较大，但综合对比优缺点已经很明显（小功率）。 我上次拆的那个是 90W的，全电压输入，BUCK俞出84V,效率为94%~95% 应该是DCM电感气隙更大吧，因为感量小， DI/DT比较大，EMC应该会更差吧? BCM莫式下，磁芯中没有直流磁通，理论上无需气隙。 外加的伏秒值、匝数、磁芯面积决定了交变磁通量； VTon（n） + Np + Ae 宀△B 直流平均电流值、匝数、磁路长度决定了直流磁场强度； Idc + Np + Le （lg ） t Hdc 由计算可知，BCM莫式下，磁芯匝数非常少。 电流过大，EMI确实会变差。但无二极管反向恢复，EMI也会变好。 共模、差模?传导、辐射?呵呵，没分析过。 开关管电盍状 1 fan Yuan, com 口严M-GM=“也-也 口严M-GM=“也-也f爭4+厶心刃儿+警＜ 由这个公式可以看出.一旦电凍进入DCM復式后.侖出功率一定时只要电匪堡和频率不隨 电压变化而变化.那么峰值电命就杲一定的.但杲电压越低，占空比延大，所以此时电流平 均值和有效值都增大了.如果因为电J1降飪电源由DCM僅式进入CCM樓式.縮出功率一 定且电惑重和频率不陌电J玉变化而变化.PU7（/3-A）刚、而（竺士■畑匕实际上 割畫厶和厶都会增大.只罡厶比厶增加得快.而电流科效10沟，? 综上，对一个可皑工作在CCM或DCM模式下的电源，当工作频車，电感重，放率和输出 功率都不变时?皤入电蛊有效ffi是陆辅入电压隆低而一克増大的：辐入电蛊峰值在DCM模 式下不变，在CCM慎式下随辅入电圧庠低而増大.这就是为什么我们在计茸变压密肘愛用 最低聊入电压来JJ. 那么对比两个不同的电原在相同电压.工作频孰 箍岀功处，效淞时.-4工作在CCM模 式另一个工作在DCM?式.它们之间的区别戏在于电惑暮L校小的工作在DCM模式. 根据前而得到的仝式Pr =厶一 “土単?则L粋J册.“（厶-厶麻大或（址土） 较大.如果我们设计时两个电源在最低竊入电压处的占空比一样大，则根据 斤=与 厶+厶簡對两看00（写如）一样尢所以DCM工作方式的A2 （厶-厶）校大. 所以相同输入电压，工作频乐占空比，输出功臥效率时.DCM慣式和CCM横式相比 綻入电扳平均伯和有效（0相手.但峰值电漩大.这也是为什么功率稍大我们在设计时都當虑 在低:电压縮入时工AT在CCM模式? ? 关于EMI, DCM峰值高，开关噪声大，在低频段能量较高； CCM有二极管反向恢复电流，这个可以产生频率很 高的噪声，在高频段能量较高。定性考虑：输入电压，占空比，输出功率，频率都相同时，输入端口滤波部 分DCM需要更大的X电容或差模电感，CCM需要更大的共模电感； CCM还需要二极管吸收。 关于功率器件，DCM需要更大的滤波电容，更大峰值电流的 FET和二极管；CCM需要更大的电感，恢复更快的 二极管。