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4.5 均匀加宽工作物质的增益系数 ? 通常用增益系数来描述经过单位距离后光强的增 长率。设在 z 处光强为 I ( z ) , z + dz 处光强为 dI ( z ) I ( z )+ dI ( z ) ,则增益系数定义为 g ? I ( z ) dz 考虑 四能级系统 ,并 且在讨论受激辐射引 起的增益时不计损耗 dN ? ? n ? 21 ( ? , ? 0 ) ? N dt dz ? ? dt ,得到增益系数的表达式为 由于 I ( z ) ? Nh ?? , 2 ? A 21 ~ g ? ? n ? 21 ( ? , ? 0 ) ? ? n g ( ? , ? 0 ) 2 8 ?? 0 一 反转集居数饱和 ? ? 目的:在频率为 ? 1 、光强为 I ? 1 的入射光作用下, 求工作物质的反转集居数密度 ? n 。 dn 0 dn 2 dn 3 在连续工作状态下,应有 ? ? ? 0 dt dt dt 一般四能级系统中, S 10 W 03 , S 32 W 03 , A 30 S 32 dn 3 ? n 0 W 03 ? n 3 ( S 32 ? A 30 ) dt dn 0 ? n 1 S 10 ? n 0 W 03 ? n 3 A 30 dt n 3 S 32 ? n 0 W 03 ? n 3 ? 0 W 03 n 1 ? n 0 ? 0 S 10 ? n ? n 2 dn 2 f 2 ? ? ( n 2 ? n 1 ) ? 21 ( ? 1 , ? 0 ) ? N l ? n 2 ( S 21 ? A 21 ) ? n 3 S 32 dt f 1 d ? n ? n ? ? ? n ? 21 ( ? 1 , ? 0 ) ? N ? ? n 0 W 03 dt ? 2 其中 ? 2 为能级 E 2 寿命 1 ? 2 ? A 21 ? S 21 在稳态时,有 中 n 0 = n , d ? n ? 0 dt ,并考虑到四能级系统 nW 03 ? 2 ? n ? 1 ? ? 21 ( ? 1 , ? 0 ) ?? 2 N nW 03 ? 2 ? n ? 1 ? ? 21 ( ? 1 , ? 0 ) ?? 2 N ? n ? nW 03 ? 2 0 I ? Nh ?? h ? 1 h ? 0 I s ( ? 1 ) ? ? ? 21 ( ? 1 , ? 0 ) ? 2 ? 21 ( ? 1 , ? 0 ) ? 2 ? n ? n ? I ? 1 1 ? I s ( ? 1 ) 1 0 ? n 0 称作小信号反转集居数密度 I s ( ? 1 ) 是频率为 ? 1 的强光对应的饱和 光强,具有光强的量纲 0 1 ? n ? ? n ;当 I ? 足 在光强 I ? ?? I s ( ? 1 ) 的小信号情况下, I ? 越强,反转集居数密度减 够强时,将有 ? n ? n 0 , 少得越多,这种现象称为反转集居数的饱和。 1 饱和光强 I s ( ? 1 ) the saturation intensity 饱和光强的物理意义:当入射光强度 I ? 1 可以与 I s ( ? 1 ) 比拟时,受激辐射造成的上能级集居数衰减 率就可以与其它弛豫过程(自发辐射及无辐射跃迁) I ? ?? I s 时, ( ? 1 ) ? n 与 造成的衰减相比拟。因此当 光强无关;当 I 可与 I s ( ? 1 ) 比拟时, ? n 随 I 的增 ? 1 ? 1 0 ? n ? ? n 2 加而减小。当 I = I ( ? ) 时, ? 1 s 1 1 I s ( ? 1 ) 的值取决于增益物质的性质和入射光频率, 可由实验测出。中心频率处的饱和光强 I s 。 如果该均匀加宽工作物质具有洛伦兹 线型 A 21 ? ~ ? 21 ( ? 1 , ? 0 ) ? g ( ? 1 , ? 0 ) 2 8 ?? 0 2 I s ( ? 1 ) 4 ( ? 1 ? ? 0 ) ? 1 ? 2 I s ( ? ? H ) 2 ? ? H 1 ~ g H ( ? 1 , ? 0 ) ? ? 2 ? ( ? ? ? ) 2 ? ( ? ? H ) 2 1 0 2 I s ? 0 h ? 0 ? 21 ? 2 当 ? 1 = ? 0 时, ? n ? n ? 1 ? I ? 0 I s ? ? ? 中心频率处的饱和光强 I s 最小。入射光偏离 中心频率越大,所对应的饱和光强越大。 在相同的入射光强下,饱和光强越小,与 ? n 0 相比, ? n 值下降越多,饱和效应越严重。 入射光频率为中心频率时饱和效应最强烈, 偏离中心频率越远,饱和效应越弱。中心频 率处受激辐射几率最大,入射光造成的反转 集居数下降越严重。 ? 不同频率的入射光对反转集
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