电子电路基础判断题.pdf

第一章 常用半导体器件 1-1 晶体二极管 二．判断题 1． 在外电场作用下， 半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 （T） 2 ． P 型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 （F） 3 ． 晶体二极管有一个 PN结。所以有单向导电性。 （T） 4 ． 晶体二极管的正向特性也有稳压作用。 （T） 5 ． 硅稳压管的动态电珠愈小，则稳压管的稳压性能愈好。 （T） 6 ． 将 P 型半导体和 N 型半导体用一定的工艺制作在一起，其叫界 处形成 PN结。 （T） 7 ． 稳压二极管按材料分有硅管和锗管。 （F） 8 ． 用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻。其数值是 相同的。 （F） 9 ． 二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压， PN 结就会击 穿。 （F） 10． 二极管的反向电阻越大，其单向导电性能就越好。 （T） 11． 用 500 型万用表测试发光二极管，应该 R*10k 挡。 （T） 1-2 晶体三极管 二．判断题 1．晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（ N 型或 P 型） 构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。 （F） 2 ． 三极管的放大作用具体体现在 Ic=?Ib 。（T） 3 ． 晶体三极管具有能量放大作用。 （F） 4 ． 硅三极管的 Icbo 值要比锗三极管的小。 （T） 5 ． 如果集电流 Ic 大于集电极最大允许电流 Icm 时，晶体三极管可 顶损坏。 （F） 6 ． 晶体二极管和三极管都是非线性器件。 （T） 7 ． 3CG21管工作在饱和状态时，一定是 UbeUce. （T） 8 ． 某晶体三极管的 Ib=10 μA 时。 Ic=044mA; 当 Ib=20 μA 时。 Ic=0.89mA, 则它的电流放大系数 ?=45。（T） 9 ． 因为三极管有两个 PN结，二极管有一个 PN结。所以用两个二 极管可以连接成一个三极管。 （F） 10． 判断题 1-2-1 所示各三极管的工作状态（ NON型为硅管。 PNP 型为锗管）。 a)( 放大 ) ；b)( 饱和 ) ；c)( 截止 ) ；d)( 放大 ) 11． 复合管的共发射极电流放大倍数 ? 等于两管的 ?1，?2 之和。（F） 12． 晶体三极管的只要性能是具有电压和电流放大作用。 （F） 1-3 场效应管 二．判断题 1． 晶体三极管是单极型器件。场效应管是双极型器件。 （F） 2 ． 通常场效应管的性能用转移特性曲线，输出特性曲线和跨导表 示。 （T） 3 ． 场效应管的源极和漏极均可以互换使用。 （F） 4 ．