20212015半导体物理器件期末考试试题(全).docxVIP

下载本文档

164
0
约2.93千字
约 10页
2021-02-25 发布于天津
举报
版权申诉

20212015半导体物理器件期末考试试题(全).docx

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

半导体物理器件原理期末试题大纲指导老师陈建萍一简答题共题每题分代表试卷已出的题目耗尽区半导体内部净正电荷和净负电荷区域因为它不存在任何可动的电荷为耗尽区空间电荷区的另一种称呼势垒电容由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应即反偏结的电容结击穿在特定的反偏电压下反偏电流迅速增大的现象欧姆接触金属半导体接触电阻很低且在结两边都能形成电流的接触饱和电压栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压阈值电压达到阈值反型点所需的栅压基区宽度调制效应随结电压或结电压的变化中性基区宽度的变化截止频率

半导体物理器件原理（期末试题大纲）指导老师：陈建萍一、简答题（共6题，每题4分）。 ?代表试卷已出的题目 1、耗尽区：半导体内部净正电荷和净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。 2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即反偏Fpn结的电容。 3、 Pn结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。 ?4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。 5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 ? 6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。 ■ 7、基区宽度调制效应：随C