2019年最新-电荷耦合器件-精选文档.ppt

第 6 章 固体成像器件 (CCD) ? 6.1 光电图像传感器简介 ? 6.2 CCD 的工作原理 ? 6.3 电荷耦合器件的分类 ? 6.4 CCD 的性能参数 6.1 图像传感器简介 6.1.1 图像传感器发展 完成图像信息光电变换的功能器件称为 光电图像传感器 。光电 图像传感器的发展历史悠久，种类很多。 早在 1934 年就成功地研制出 光电摄像管 （ Iconoscope ），用于 室内外的广播电视摄像。但是，它的灵敏度很低，信噪比很低， 需要高于 10 000lx 的照度才能获得较为清晰的图像。使它的应用 受到限制。 1947 年制出的超正析像管（ Imaige Orthico ），的灵敏度有所 提高，但是最低照度仍要求在 2 000lx 以上。 1954 年投放市场的高灵敏视像管（ Vidicon ）基本具有了成本低， 体积小，结构简单的特点，使广播电视事业和工业电视事业有了 更大的发展。 1965 年推出的氧化铅视像管 (Plumbicon) 成功地取代了超正析像 管，发展了彩色电视摄像机，使彩色广播电视摄像机的发展产生 一次飞跃。然而，氧化铅视像管抗强光的能力低，余辉效应影响 了它的采样速率。 1976 年，又相继研制出灵敏度更高，成本更低的硒靶管和硅靶 管。不断满足人们对图像传感器日益增长的需要。 1970 年，美国贝尔实验室发现的电荷耦合器件（ Charge Coupled Device, 简称 CCD) 的原理，使图像传感器的发展进入了 一个全新的阶段，使图像传感器从真空电子束扫描方式发展成为 固体自扫描输出方式 。 CCD 本身就能完成光学图像转换、信息存贮和按顺序输出 （称自扫描）视频信号的全过程。 它的自扫描输出方式消除 了电子束扫描造成的图像光电转换的非线性失真。即 CCD 图 像传感器的输出信号能够不失真地将光学图像转换成视频电 视图像。 此外，与真空摄像器件相比 ,CCD 还有以下优点： (1) 体积小，重量轻，功耗低；耐冲击，可靠性高，寿命长； (2) 无象元烧伤、扭曲，不受电磁场干扰； (3) 象元尺寸精度优于 1μ m, 分辨率高； (4) 基本上不保留残象（真空摄像管有 15% ～ 20% 的残象）。 (5) 视频信号与微机接口容易。 CCD 图像传感器目前已经成为图像传感器的主流产品。其应用 研究成为当今高新技术的主流课题。它的发展推动了广播电视、工 业电视、医用电视、军用电视、微光与红外电视技术的发展，带动 了机器视觉的发展，促进了公安刑侦、交通指挥、安全保卫等事业 的发展。 6.1.2 图像传感器的基本原理 在光照射下或自身发光的景物经成像物镜成像在图像传感器的 光敏面上，形成二维空间光强分布的光学图像，光电图像传感器 完成将光学图像转变成二维“电气” 图像的工作。 组成一幅图像的最小单元称为 像素或像元 ，像元的大小或一幅 图像所包含的像元数决定了图像的分辨率，分辨率越高，图像的细 图像质量越高。 CCD 图像传感器用光敏单元分割。被分割后的电气图像经扫描 才能输出一维时序信号。 扫描型图像传感器输出的视频信号可经 A/D 转换为数字信号 （或称其为数字图像信号），存入计算机系统，并在软件的支持下 节信息越丰富，图像越清晰，图像质量越高。即将图像分割得越细， 完成图像处理、存储、传输、显示及分析等功能。 本章主要讨论从光学图像到视频信号的转换原理，即图像传感 器的基本工作原理和典型应用问题 。 6.2 CCD 的工作原理 1 电荷耦合器件的结构 在 P 型或 N 型硅单晶的衬底上生长一层厚度约为 0.1-0.2 微米的 SiO 2 层，然后按一定次序沉积 N 个金属电极作为栅极，栅极间的间 隙约 2.5μ m ，电极的中心距离 15 ～ 20μ m ，于是每个电极与其下方 的 SiO 2 和半导体间构成了一个金属 - 氧化物 - 半导体结构， 即 MOS 结 构 。 CCD 线 阵列 CCD 单元 这种结构再加上 输入、输出结构 就构成了 N 位 CCD 。 CCD 的特点是以电荷作为信号，不是以电流或电压作为信号。 CCD （ Charge Coupled Devices ，电荷耦合器件）图像传感器 主要有 两种基本类型 ，一种为信号