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PLC光无源器件技术的现状 平面光波导 PLC是英文 Planar Lightwave Circuit的缩写，是平面光波导技 术。早在几年前，平面光波导技术就能够使光子在晶圆中传输，并已在 WDM 系统中广泛应用，主要是阵列波导光栅（ AWG）复用 / 解复用模块。近日，河南仕佳光子科技有限公司安俊明博士发表了《 PLC光无源器件的现状及展望》，针对 PLC光无源器件的技术现状作了阐述。 PLC光无源器件技术的第一类 第一类是波分复用器 -平面光波导器件，其中又分为刻蚀衍射光栅 EDG、微环谐振器解复用器、阵列波导光栅 AWG和光子晶体解复用器这几大类。 AWG 的工作原理，其中 AWG芯片是主干网、数据中心、光互连的关键芯 片。 不同材料系的 AWG 性能参数也不同，其中二氧化硅波导的折射率差为 0.75%，波导尺寸为 6mm′ 6mm，弯曲半径为 5mm，40 通道芯片尺寸为 45mm′ 20mm，最大的优点是，单独使用的损耗低； SOI波导的折射率差为 40%，波导尺寸为 500nm′ 200nm，弯曲半径为 5mm；16 通道芯片尺寸为 580mm′ 170mm，属于集成使用，亚微米加工，因此耦合难度大； InGaAsP/InP波 导的尺寸为 2.5mm′0.5mm，弯曲半径为 500mm，属于集成使用，损耗稍高，但 是价格贵。 硅基二氧化硅 AWG 需要克服三大难点：均匀的材料生长、相位控制以减少 串扰及退火应力补偿，其最大通道数高达 512 通道。 Si 纳米线波导 AWG的波导尺寸在 300nm-500nm，Ghent 大学制备出了 8 通道、 400GHz硅纳米线 AWG，尺寸仅为 200mm′350mm，器件插损仅 -1.1dB，串扰为 -25dB。 硅纳米线 AWG 关键工艺在于电子束曝光或深紫外曝光和 ICP干法刻蚀，需要克服三大难点： EB光刻密集纳米线波导均匀性、 EB写场拼结问题 (断开或错位)及 EB光刻、 ICP刻蚀侧壁光滑性。 1 / 3 64 通道、 50GHz InP AWG的禁带为 1.05 mm，GaInAsP为 0.5 mm 厚，上面 覆盖 1.5mm 厚的 InP。深脊型波导宽度为 2.55mm，刻蚀深度为 4.5mm。NTT 采 用深脊型结构，实现偏振无关，其尺寸为 3.6mm′7.0mm；输入 / 输出波导展宽为 4mm；输出波导间隔为 25 mm；阵列波导弯曲半径为 500 mm；输入 / 输出波导弯曲半径为 250 mm；插损在 14.4-16.4dB间，串扰小于 -20dB。PLC光无源器件技术的第二类 第二类为 PLC光分路器，属于光纤到户的核心光子器件。 PLC平面波导型光分路器采用高度集成的制备技术，分路数最多达 128 路，采用光刻、生长和干法刻蚀工艺，在石英衬底上形成掩埋光波导，实现光功率分配，是光分路器生 产的最佳技术。目前掌握这种技术的公司，国外有 NTT、AiDi、HitachiCable、 Wooriro 、PPI、Fi-Ra，Neon、Corecross、QNIX、Enablence。还有一种采用玻璃 基离子交换制备技术，该技术的工艺简单、设备投资少，国外有法国的 Teem Photonics 公司和以色列 ColorChip 公司，国内曾有报道浙江大学也掌握了该技 术。 目前， PLC光分路器晶圆制备工艺流程分 6 大步骤共 19 个工序。依次为： 芯区生长－退火、生长硬掩膜、光刻（涂胶、前烘、曝光、显影、后烘）、刻蚀硬掩膜、去光刻胶、刻蚀芯区、去硬掩膜、清洗、生长上包层、退火（重复多次）。 PLC光无源器件技术的第三类 第三种类型为无源与有源功能器件混合集成，有 AWG与可调谐衰减器 VOA）集成、 AWG与热光开关集成的光上下路器（ OADM）这两种集成方式。 二氧化硅平台混合集成有 LD 倒装和 PD侧面贴装两种方式。而封装模块 -片上倒装结构属于 SOI平台混合集成，有 LD倒装和 PD表面贴装两道工序，比二氧化硅平台少一个工序。 混合集成工艺 -LD倒装焊采用两侧台阶标记的方式， SOI平台混合集成 LD 倒 装 2 / 3 混合集成工艺 -PD表面贴装，采用面探测器， NTT以前用波导型探测器。相比较两种探测器，面探测器对准容差大，简化了工艺。 PLC光无源器件技术的第四类 第四种类型为 SOI纳米线 AWG 与 Ge 探测器单片集成，属于硅基器件混合、单片集成。 PLC光无源器件技术的第五类 第五种类型为 InP 基单片集成（ PIC），其中 Infinera 公司是全球 PIC集成芯片代表。 InP 基单片集成 Key Innovation PIC是技术上的创新，属于有源光子的集成，具有空间小、能耗低、可靠性高的