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精品文档 精品文档 PAGE PAGE #欢迎下载 精品文档 精品文档 PAGE PAGE #欢迎下载 宽禁带半导体材料与工艺 1.1宽禁带半导体的概念和发展 宽禁带半导体（WBS是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半 导体材料（GaAs GaP InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料 主要包括SiC （碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化傢、）AlN （氮化铝）、 Zn Se（硒化锌）以及金刚石等。 第二代半导体GaAs与 Si相比除了禁带宽度增大外，其电子迁移率与电子饱 和速度分别是Si的6倍和2倍，因此其器件更适合高频工作。GaAs场效应管器 件还具有噪声低、效率高和线性度好的特点但相比第三代半导体 GaN和SiC，它 的热导率和击穿电场都不高，因此它的功率特性方面的表现不足。为了满足无线 通信、雷达等应用对高频率、宽禁带、高效率、大功率器件的需要从二十世纪九 十年代初开始，化合物半导体电子器件的研究重心开始转向宽禁带半导体。 我们一般把禁带宽度大于2eV的半导体称为宽禁带半导体。宽禁带半导体材 料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在 高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。 1.2主要的宽禁带半导体材料 近年来，发展较好的宽禁带半导体材料主要是 SiC和GaN其中SiC的发展 更早一些，碳化硅、氮化镓、硅以及砷化镓的一些参数如下图所示： SjC GaN Si GaAs 4H SiC 6H SiC 3C SiC 2,2 339 1.12 1.4 B-2X10-* 2.3 x I O* 69 1-9X 10 1 X *护 i.sx ia,G 曲穿电扬 MVZcm 3- 2.4 舟之 3.3 0.3 0.4 (W/cm-K) 4.9 4.? 4.9 J .3 1*5 OjS 2X ] 0T 2K !07 2X ]护 2.2 X to1 1 X l-o7 jo7 介电常敷 IO 9.7 9* 9 1U8 12.8 点 2830 ￡830 （升华｝ 1420 1510 电子楼率 （cm3 800 perp oaxiH SDO 60 400 900 1250 1 J 200 6500 空穴迂甘寧 （cm3/V 115 90 40 2S0 420 320 图1-1半导体材料的重要参数 如上图所示，SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs相应的本征载流子 浓度小于硅和砷化镓，宽禁带半导体的最高工作温度要高于第一、第二代半导体 材料。击穿场强和饱和热导率也远大于硅和砷化傢。 SiC材料 纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同， 而 呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方 或菱面体的 a -SiC和立方体的B -SiC （称立方碳化硅）。a -SiC由于其晶体结 构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现 70余种-SiC 于2100C以上时转变为a -SiC。 SiC是IV-IV族二元化合物半导体，也是周期表IV族元素中唯一的一种固 态化合物。构成元素是Si和C,每种原子被四个异种原子所包围，形成四面体单 元（图25a）。原子间通过定向的强四面体 SP3键（图25b）结合在一起，并有一定 程度的极化。SiC具有很强的离子共价键，离子性对键合的贡献约占12%决定了 它是一种结合稳定的结构。SiC具有很高的德拜温度，达到1200-1430 K,决定 了该材料对于各种外界作用的稳定性， 在力学、化学方面有优越的技术特性。它 的多型结构如图所示： 6H 4H 15R 图2-1碳化硅的多型结构 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作 磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶 轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命 1?2倍；用以制成的高级 耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅（含 SiC约85%是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提 高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。 碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上最硬的金刚石（10级）， 具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。 GaN材料 GaN是一种极稳定，坚硬的高熔点材料，熔点约为 1700C。GaN具有高的电 离度，在川一V族化合物中是最高的（0.5或0.43 ）。在大气压下，GaN晶体一 般是六方纤锌矿结构。它在一个晶胞中有4个原子。因为其硬度高，又可以作为 良好的涂层保护材料。 在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中溶解速度又非常缓慢。 但是NaOH