《模拟电子技术》第1章33场效应管fv0403周一12节 .pptxVIP

1.4 场效应管;场效应管利用电场效应控制电流大小。 用栅极电位控制电流大小（类似电子管） 只有一种载流子（多数载流子）导电，故称单极性器件 而晶体三极管有两种载流子（多数载流子和少数载流子）导电 优点：（1）体积小、重量轻、耗电少、寿命长； （2）输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单； 分类：（1）结型场效应管（JFET） （2）金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） ;1、结构;栅源反偏：N沟道JFET工作时，在栅极与源极之间加一负电压（栅负源正）：VGS0，使栅极（P）和沟道（N）之间的PN结反偏，栅极电流为零，场效应管呈现大的输入电阻。 在漏极和源极之间加一正电压（漏正源负）:VDS0，使N沟道中的多数载流子(电子)在电场的作用下由源极向漏极运动，形成漏极电流iD 。 漏极电流iD受与漏源电压VDS影响，被栅源电压VGS控制。;结束;（1）d、s间短路，在g、s间加反向电压时的情况 ;（2）d、S间加正向电压的情况： ;;（3）g、s间加负电压，d、S间加正电压的情况： ;;3、JFET的特性曲线;②转移特性;分类;1、结构;2、工作原理;;3、特性曲线;N沟道耗尽型：; 如果在制造MOS管时，在SiO2绝缘层中掺人大量正离子，那么即使υGS=0，在正离子作用下P型衬底表层也存在反型层，即漏—源之间存在导电沟道，只要在