第四讲全控型电力电子器件.doc.docxVIP

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2021-03-03 发布于天津
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第四讲全控型电力电子器件.doc.docx

第四讲全控型电力电子器件概述门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现世纪年代以来信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合一一高频化全控型采用集成电路制造工艺的电力电子器件从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代典型代表门极可关断晶闸管电力晶体管电力场效应晶体管绝缘栅双极晶体管或门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管是晶闸管的一种派生器件可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断的电压电流容量较大与普通晶闸管接近因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用的结构和工作原理结构与普通晶闸管的相同点四层半导

第四讲全控型电力电子器件 4.1概述门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor — GTO在晶闸管问世后不久出现； 20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合一一高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代；典型代表门极可关断晶闸管、电力晶体管(Giant Transistor GTR) 电力场效应晶体管(Power MOSFET、绝缘栅双极晶体管(In sulated-gate Bipolar Transistor — — IGBT或 IGT)。 4.2 门极可关断晶闸管 (Ga

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