模拟电子电路基础:08-半导体场效应管.pdfVIP

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  • 2021-03-03 发布于安徽
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模拟电子电路基础:08-半导体场效应管.pdf

1.3 半导体场效应管  1.3.1结型场效应管  1.3.2绝缘栅场效应管  1.3.3场效应管的主要参数及电路模型  1.3.4双极型和场效应型三极管的比较 场效应三极管仅由一种载流子参与导电—单极型器件 用输入电压控制输出电流的的半导体器件—VCCS 从参与导电的载流子来分,有N沟道器件和P沟道器件 从场效应三极管的结构来划分,它有两大类 1.结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transistor) 2.绝缘栅型场效应三极管IGFET ( nsulated Gate Field Effect Transistor) IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET ) 1.3.1 结型场效应管 1.结型场效应三极管的结构 漏极 栅极 PN结(耗尽层)

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