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光捕获和表面等离子体提高近红外光谱探测器的性能 主题领域：纳米光子学和等离子，传感器和生物传感器 作者：Lin-Bao Luo1,3, Long-Hui Zeng1,3, Chao Xie2,3, Yong-Qiang Yu2,3, Feng-Xia Liang2,3, Chun-Yan Wu1,3,Li Wang1,3 Ji-Gang Hu1,3 1 接收于2013年11月22日，电子科学与应用物理学院、合肥工业大学、合肥,安徽230009,p . r .中国。 2 公认于2014年1月13日，材料科学与工程学院,合肥工业大学,合肥,安徽230009,p . r .中国。 3 发表于2014年1月28日，安徽省关键先进功能材料和设备的实验室,合肥工业大学,合肥,安徽230009,p . r .中国。 异质结的近红外(NIR)光电探测器已经吸引了越来越多的研究兴趣，广泛的应用在许多领域,如军事侦察、目标检测、光和视觉。高性能的近红外光谱光电探测器由纳米甲基硅排列覆盖制成，并有等离子纳米金粒子(AuNPs)石墨烯薄膜。理论模拟基于有限元法(FEM)揭示了AuNPs@graphene / CH3-SiNWs阵列设备能够捕获入射近红外光线进入SiNWs，通过SPP激发和耦合AuNPs修饰石墨烯层。更重要的是,耦合和捕获传播的平面波从自由空间传播到纳米结构和表面钝化导致开关率高。 带有间接狭窄的带隙(1.12 eV) 的硅(Si),几十年来一直有众多核心技术创新,仍然是电子业不可替代的关键材料。与薄膜和散装同行相比,硅纳米线(SiNWs)大表面容积比和优越的传输性能可用来制造各种光电子器件,如场效应晶体管、太阳能电池,化学和生物传感器,光电探测器(综合布线系统)等等。在各种SiNWs基础的纳米器件, 光电检测器用硅纳米结构组装有不错的研究。由于合适的带隙和增强的光学性质,SiNWs基础的光电检测器能够探测红外线具有高度的敏感性和良好的光敏反应,从而构成大规模应用的核心组件在许多军事侦察等领域,目标检测和追踪。为了进一步提高设备性能(例如:开/关率、响应速度)SiNWs基础的光电检测器,人们求助于新设备与抑制载波复合,增强光吸收和载体传输。 石墨烯,作为一个有前途的替代透明电极的材料,表现出非凡的特性,诸如光学透过率高、热导率高,优秀的电子和机械性能,以及杰出的化学/物理稳定性与可调功能工作。因此,石墨烯已广泛应用于各种光伏设备，光电检测器,发光二极管(led)。表面等离子体激元(SPs),电磁波感应引起电荷在金属的表面集体振荡是光捕获的基础。离子金属纳米颗粒(如金、银NPs)组成的石墨烯的出现作为一种替代方法,独特的电极材料显示广泛的非凡的性能,包括强烈的光吸收近红外光谱和可见的范围和支持表面等离子体极化声子 。此外,SPPs绑定到石墨烯表面展示独特的功能,如模态指数高,相对较低的损失,由电场和磁场灵活的可调谐性。在此,我们提出一个简单的策略来制造高性能近红外光电探测器，通过覆盖石墨烯-硅复合体系。组装的设备表现出明显的敏感性在850纳米光照明开/关比为106,相对于其他基于Si设备是最好的。理论模拟基于有限元法(FEM)显示,高性能的优良的光学性能可以归因于AuNPs@石墨烯/ SiNWs数组作为高效SPP基础的近红外光谱光耦合系统,能够捕获入射进入SiNWs的近红外光，通过SPP激发和在充满AuNPs石墨烯层上耦合。上面的普遍性的结果表明,我们的NIRPD 结果： 图1a展示了制造近红外光谱探测器AuNPs@graphene/SiNWs的阵列过程。通过银的化学腐蚀法合成垂直的SiNWs阵列，并可以减少SiNWs表面的电荷重组。聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）有助于石墨烯层转移到SiNWs阵列表面是随着用丙酮除去PMMA。最后，通过旋转涂布AuCl3,AuNPs沉积到石墨烯。图1 b显示了SiNWs阵列的横截面扫描电镜图像，发现SiNWs整齐的排列，长约28~30微米。根据图1c的统计分布分析，SiNWs的直径范围是120~220nm，平均有效值为170nm。石墨烯薄膜的拉曼光谱发现有两个高峰：即在2698/cm的2D波段和在1581/cm的G波段。这个强度比为1.02,在1350/cm的D波段存在散射，表明石墨烯由多层的石墨烯缺陷组成（图1d）。图1g描述了典型的多层石墨烯/SiNWs肖特基结被40~100nm的AuNPs修改的电子显微图像。这些AuNPs同样的分布在石墨烯薄膜，通过减少从石墨烯接受金原子来形成。（图1f） 在这项研究中,SiNWs阵列是有意通过这样的单层甲基羧基官能团可以有效抑制表面复合。图2a描述了典型AuNPs@graphene/SiNWs阵列在室温的I-V曲线，可以看到明显的整流是由于在石墨烯和SiNWs之间