半导体激光器实验.docVIP

PAGE PAGE 1 半导体激光器实验 目 录 一、实验目的 1 （一）、了解半导体激光器的发明和发展 （二）、掌握半导体激光器的基本原理 （三）、掌握半导体激光器性能的测试方法 二、实验原理 1 （一）、半导体激光器的产生和发展 1 （二）、研究半导体激光器的功率、光谱及消光比等性能的意义 2 （三）、半导体激光器的发光原理 3 三、实验内容和方法 5 （一）、半导体激光器的输出功率与电流的关系 5 （二）、光谱特性 6 （三）、光谱的测量 7 （四）、消光比的定义 9 四、半导体激光器的功率、光谱及消光比的测量方法 9 五、实验结果的处理与分析 10 1、发光功率的测量（P-I曲线） 2、光谱的测量（λp- I曲线） 3、消光比的测量（ER-I曲线） 六、实验结论 12 七、参考文献 13 一、实验目的 通过实验，要求达到如下目的： （一）、了解半导体激光器的发明和发展。 （二）、了解半导体激光器的基本原理。 1、半导体激光器的结构 2、半导体受激光发射放大的条件 （三）、掌握半导体激光器性能的测试方法。 1、发光功率的测量（P-I曲线） 2、消光比的测量（ER-I曲线） 3、光谱的测量（λp- I曲线） 二、实验原理 （一）、半导体激光器的产生和发展 半导体激光器是指以半导体材料为工作物质的一类激光器，亦称为半导体二极管或激光二极管（简写为SLD——Semiconductor Laser Diode），是六十年代初发展起来的一种新型固体激光光源。它是通过正向偏压下p-n结中空间电荷区附近形成的载流子（电子）反转分布的“激活区”的自发发射感应受激辐射而发出相干光。发射波长在0.33-100 μm的范围。激励方式有p-n结注入电流激励、电子束激励、光激励和碰撞电离激励等4种。我们最常用的p-n结注入式，这是最为成熟的。使用的工作物质有GaAS、InGaAsP直接带隙半导体材料等。半导体激光器由于构成材料的不同分为同质结半导体激光器和异质结半导体激光器。如果p-n结是由相同的半导体材料通过不同的掺杂而构成，称为同质结。 激光器的出现可以追溯到1958年，接着固体红宝石激光器和He-Ne气体激光器分别在1960年5月和1960年12月运行成功。1960年前后，激光器的研究工作进展很快。在电子技术领域中p-n结器件的研究工作是进展最快的。这些研究的焦点是通过p-n结注入非平衡载流子来产生受激发射。冯·纽曼（Von Newman）在1953年提出了利用p-n结注入激发的半导体中的受激发射产生光放大的可能性。1962年初纳斯莱多夫（Nasledov）等报道了在77 K下GaAs二极管的电子发光谱在电流密度为1.5时变窄的现象。他们利用了解理面作为谐振腔的反射镜面，而没有专门制作谐振腔。1962年9月霍尔等发现了加正偏压的GaAs的p-n结的相干光的发射，推断为为受激发射，把此类由单一半导体材料组成的激光器称为同质结激光器。 继霍尔之后，霍伦雅克和贝瓦奎（Bavacqua）在77K情况下实现了脉冲注入受激发射。首次制作了Ⅲ-Ⅴ族固溶体的注入型激光器，并实现了可见光发射（0.7 μm）。 在证明了同质结激光器中的p-n结受激发射后，人们开始关注温度对阈值电流的影响及其它几种激光二极管，增添了Ⅳ-Ⅵ族化合物作为新材料。而同质结注入型激光器有