非金属工艺学课件：chap3-Crytstal defects.pdf

第三章 晶体结构缺陷 Crystal Defects 内容提要 晶 体 结 构 缺 陷 点缺陷及其缺陷反应式、固熔体、 非化学计量比化合物、线缺陷 §3 晶 体 结 构 缺 陷 一、点缺陷及其缺陷反应方程式 一、点缺陷 • 0K时，固体在热力学上是最稳定的状态， 其内能最低。理想点阵。 • 种类 名称 结 瞬变缺陷 声子 构 电子缺陷 电子、空穴 Crystal quartz Fused quartz 缺 点缺陷 空位、间隙原子、杂质、 陷 替代原子、缔合中心 类 复合缺陷 簇、切变结构、块结构 型 线缺陷 位错 面缺陷 晶体表面晶粒间界 点缺陷的类型 几何位置：(1)填隙原子、离子－Interstitial； （2 ）空位－Vacancy; (3)杂质原子、离子－ Impurity (取代式或间隙式） 原因: (1)热缺陷：弗伦克尔缺陷、 肖特基缺陷 （2 ）杂质缺陷 （3 ）非化学计量比缺陷 热缺陷 晶格内原子、离子的热振动引起，浓度随 着温度上升呈指数地上升。 Frenker defect Schottky defect 间隙原子、空格点成对 正负离子空位成对产生， Frenker defect and Schottky defect Schottky defect in NaCl Frenker defect in AgCl 杂质缺陷 杂质原子、离子含量一般小于0.1 ％，不 仅破坏原子有规则排列，而且在杂质原 子周围的周期势场引起改变。 杂质原子、离子含量未超过固溶度时， 浓度与温度无关。 置换杂质原子、离子和间隙杂质原子、 离子 非化学计量比缺陷 Non-stoichiometric defect 组成随气氛和压力变 化发生偏离化学计量 比的现象。例如： TiO2-X ，Zn1+xO N型、P型半导体的 重要基础。 电荷缺陷 缺陷化学反应表示法 缺陷化学研究的对象 主要是晶体中的点缺 陷，以浓度不超过 0.1at%为限。 缺陷浓度过高，会导 致复合缺陷、缺陷簇 的生成，形成超结构 和分离的中间相。 大多数氧化物、硫化 物和卤化物即使在高 离子晶体MX: M- cation 温，点缺陷浓度也满