固态相变概论.ppt

2021/2/7 * * 金属固态相变时的相变阻力包括界面能和弹性应变能两项。所以当弹性应变能为主要控制因素时,新相多呈片状或针状;当界面能为主要控制因素时,新相多趋于球状。（液固相变时不存在弹性应变能,界面能是主要控制因素,所以其晶核形状一般为球形。） 2021/2/7 * * 3、新相与母相之间往往存在特定的位向关系和惯习面 新旧相之间存在的位向关系:是指金属固态相变时,新旧相中存在的彼此保持平行关系的某些低指数(密排)晶面和晶向。 惯习面:金属固态相变时新相与母相之间往往存在一定的位向关系,并且新相往往在母相一定的晶面上开始形成,这个晶面称为惯习面,通常以母相的晶面指数来表示。 2021/2/7 * * 4、原子迁移率低,多数相变受扩散控制 受扩散控制的固态相变,在冷却时可以产生很大程度的过冷。随着过冷度的增大,相变驱动力增大,相变速度也增大。但是,当过冷度增大到一定程度后,由于原子扩散能力下降,相变速度反而随过冷度增大而减慢。若进一步增大过冷度,也可使扩散型相变被抑制,在低温下发生无扩散型相变,形成亚稳定的过渡相。 2021/2/7 * * 5、相变时容易产生亚稳相（过渡相） 当稳定的新相与母相的晶体结构差异较大时,母相往往不直接转变为自由能最低的稳定新相,而是先形成晶体结构或成分与母相比较接近,自由能比母相稍低些的亚稳相。 亚稳相虽然在一定条件下可以存在,但是其自由能仍然高于平衡相,故有继续发生转变的倾向,直到最终转变为平衡相为止。并且,这种倾向随着温度的升高而增大。 2021/2/7 * * 6、普遍存在新相的非均匀形核 固态金属晶体中存在着晶界、亚晶界、空位、位错、层错、夹杂物、自由表面等各种晶体缺陷。在这些晶体缺陷的周围,点阵结构发生畸变,储存有畸变能。 一般地说,金属固态相变时,新相晶核总是优先在晶体缺陷处形成。这是因为,晶体缺陷是能量起伏、结构起伏和成分起伏最大的区域,在这些区域形核时,原子扩散激活能低,扩散速度快,相变应力容易被松弛。 2021/2/7 * * 第4节 固态相变的形核与长大一、均匀形核和非均匀形核 核胚: 形核过程往往是先在母相中某些微小区域内形成新相所必需的成分和结构,称为核胚。 均匀形核: 若晶核在母相中无择优地任意均匀分布,称为均匀形核; 非均匀形核: 若晶核在母相中某此区域择优地不均匀分布,则称为非均匀形核。 2021/2/7 * * 1、均匀形核 金属固态相变均匀形核时系统自由能的总变化ΔG均匀为: ΔG均匀=－V ? ΔGv + Sσ + VΔGs V——新相体积; ΔGv——新相与母相间的单位体积自由能差; S——新相表面积; σ——新相与母相间的单位面积界面能（比界面能 或表面张力）; ΔGs——新相单位体积弹性应变能。 2021/2/7 * * 假设新相晶核为球形（半径为r）时,V=4/3πr3, S=4πr2。 ΔG均匀＝－4/3πr3ΔGv + 4πr2σ + 4/3πr3ΔGs 令dΔG/dr＝0,则可得到新相的临界晶核半径rc和形成临界晶核的形核功W为: 2021/2/7 * * 2、非均匀形核 当新相核胚在母相晶体缺陷处形成时,系统自由能的总变化变为: ΔG非均匀=－V ? ΔGv + Sσ + VΔGs －ΔGd 如果将各种可能的形核位置,按照形核从难到易的程度排序,大体如下:①均匀形核;②空位形核;③位错形核;④堆垛层错形核;⑤晶界形核;⑥相界形核;⑦自由表面形核。 2021/2/7 * * 二、新相长大机制 1、半共格界面的迁移 1）、协同型长大:大量原子有规则地沿某一方向作小于一个原子间距的迁移,并保持原有的相邻关系不变。 图1.7 切变造成协同型长大 图1.8 马氏体相变的表面倾动示意图 2021/2/7 * * 2）台阶式长大:通过半共格界面位错的运动,使界面作法向迁移,从而实现晶核长大。 图1.9 半共格界面的可能结构（a）平界面（b）阶梯界面 图1.10 晶核以台阶方式长大示意图 2021/2/7 * * 2、非共格界面的迁移 非协同型长大:界面上原子排列紊乱,形成不规则排列的过渡薄层,原子的运动是混乱的。随着母相原子不断向新相转移,界面本身便沿其法向推进,从而使新相逐渐长大。 台阶式长大:通过原子从母相台阶端部向新相台阶转移,使新相台阶发生侧向移动,从而引起界面沿法向的推进,而使新相长大。 2021/2/7 * * 图1.11 非共格界面的可能结构 （a）原子不规则排列的过渡薄层（b）台阶状非共格界面 asf 2021/2/7 * * 本课程的地位、任务和作用 本课程为金属材料工程专业本科生的一门专业基础