第二章01载流子模型.pptVIP

2021/2/6 * 导带 导带 半满带 禁带 价带 禁带 价带 满带 绝缘体、半导体和导体的能带示意图 绝缘体 半导体 导体 2021/2/6 * 常温下: Si:Eg=1.12 eV Ge: Eg=0.67 eV GaAs: Eg =1.43 eV 2021/2/6 * 四. 半导体的能带结构 1. 元素半导体的能带结构 金刚石结构 x y z 2021/2/6 * 导带 价带 硅和锗的能带结构 2021/2/6 * [0ī0] [100] [00ī] [010] [ī00] [001] 硅导带等能面示意图 极大值点 k0 在坐标轴上。 共有6个形状一样的旋转椭球等能面。 (1)导带 A B C D 导带最低能值 [100]方向 硅的能带结构 2021/2/6 * 价带极大值 位于布里渊区的中心（坐标原点K=0） 存在极大值相重 合的两个价带 外面的能带曲率小,对应的有效质量大,称该能带中的空穴为重空穴 ,(mp*)h 。 内能带的曲率大,对应的有效质量小,称此能带中的空穴为轻空穴,（mp*)l 。 E(k)为球形等能面 （2）价带 2021/2/6 * 锗的能带结构 导带最低能值 [111]方向布里渊区边界 存在有四个这种能量最小值 E(k)为以[111]方向为旋转轴的椭圆等能面 2021/2/6 * 价带极大值 位于布里渊区的中心（K=0） 存在极大值相重合 的两个价带 外面的能带曲率小,对应的有效质量大,称该能带中的空穴为重空穴 。 内能带的曲率大,对应的有效质量小,称此能带中的空穴为轻空穴。 2021/2/6 * ? 禁带宽度 Eg 随温度增加而减小 且 Si:dEg/dT=-2.8×10-4 eV/K Ge: dEg/dT=-3.9×10-4 eV/K Eg: T=0: Eg (Si) = 0.7437 eV Eg (Ge) = 1.170 eV Ge、Si能带结构的主要特征 2021/2/6 * 多能谷结构: 锗、硅的导带分别存在四个和六个这种能量最小值,导带电子主要分布在这些极值附近,通常称锗、硅的导带具有~。 ? 间接带隙半导体: 硅和锗的导带底和价带顶在 k 空间处于不同的 k 值。 2021/2/6 * 2. III－V族化合物的能带结构 GaAs的能带结构 闪锌矿结构 2021/2/6 * E GaAs Eg 0·36eV L Γ X [111] [100] 导带有两个极小值: 一个在k=0处,为球形等 能面, 另一个在[100]方向,为 椭球等能面,能量比 k=0 处的高 0.36eV, 2021/2/6 * 价带顶也在坐标原点,k=0,球形等能 面,也有两个价带,存在重、轻空穴。 GaAs的导带的极小值点和价带的极大值点位于K空间的同一点,这种半导体称为直接带隙半导体。 2021/2/6 * 锑化铟的能带结构 导带极小值在 k=0处, 球形等能面, mn*=0.0135 m0 非抛物线型 2021/2/6 * 价带包含三个能带:重空穴带V1 轻空穴带V2 能带V3（L-S耦合） 20K时 轻空穴有效质量 0.016m0 沿[111] 0.44m0 沿[110] 0.42m0 沿[100] 0.32m0 重空穴有效质量 价带顶在k=0 2021/2/6 * III－V族混合晶体的能带结构 GaAs1-xPx的Eg与组分的关系 连续固溶体 混合晶体 能带结构随成分的 变化而连续变化 2021/2/6 * Ga1-xInxP1-yAsy 的禁带 宽度随 x、y 的变化 2021/2/6 * Al1-xGaxAs1-ySby 的禁带 宽度随 x、y 的变化 间接带隙 2021/2/6 * 混合晶体的 Eg 随组分变化的特性 发光器件 GaAs1-xPx 发光二极管 x=0.38~0.40时,Eg=1.84~1.94 eV 电－空复合发出 640 ~ 680 nm红光 激光器件