模拟电子技术-康华光等主编..ppt

2021/2/6 * P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 2021/2/6 * 二、工作原理（以P沟道为例） P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏,UGS越大则耗尽区越宽,导电沟道越窄。 2021/2/6 * P G S D UDS UGS N N ID N N UGS越大耗尽区越宽,沟道越窄,电阻越大。 2021/2/6 * P G S D UDS UGS N N UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起,DS间被夹断,这时,即使UDS ? 0V,漏极电流ID=0A。 ID 2021/2/6 * 三、特性曲线 UGS 0 ID IDSS VP 饱和漏极电流 夹断电压 转移特性曲线 一定UDS下的ID-UGS曲线 2021/2/6 * ID U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 2021/2/6 * N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 UGS 0 ID IDSS VP 2021/2/6 * 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0V -1V -3V -4V -5V N沟道结型场效应管的特性曲线 2021/2/6 * 1.4.2 绝缘栅场效应管: 一、结构和电路符号 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 2021/2/6 * N 沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导电沟道 G S D 2021/2/6 * N P P G S D G S D P 沟道增强型 2021/2/6 * P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导电沟道 2021/2/6 * 二、MOS管的工作原理 以N 沟道增强型为例 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S 间相当于反接的PN结 ID=0 对应截止区 2021/2/6 * P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 感应出电子 VT称为阈值电压 2021/2/6 * 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0 ID UGS VT 2021/2/6 * 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 2021/2/6 * 四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道,加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT 2021/2/6 * 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 2021/2/6 * 五.场效应管的主要参数 (1) 开启电压VT VT 是MOS增强型管的参数,栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 （2）夹断电压VP VP 是MOS耗尽型和结型FET的参数,当VGS=VP时,漏极电流为零。 （3）饱和漏极电流IDSS MOS耗尽型和结型FET, 当VGS=0时所对应的漏极电流。 （4）输入电阻RGS 结型场效应管,RGS大于107Ω,MOS场效应管, RGS可达109～1015Ω。 （5） 低频跨导gm gm反映了栅压对漏极电流的控制作用,单位是mS(毫西门子)。 （6） 最大漏极功耗PDM PDM= VDS ID,与双极型三极管的PCM相当。 2021/2/6 * 六.双极型和场效应型三极管的比较 2021/2/6 * 电子技术 第一章 结束 模拟电路部分 2021/2/6 * 4. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比: 显然,rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 2021/2/6 * 1.2.4二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容,此电容由两部分组成:势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容:势垒区是积累空间电荷的区域,当电压变化时,就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化,这样所表现出的电容是势垒电容。 扩散电容:为了形成正向电流（扩散电流）,注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差,越靠近PN结浓度越大,即在P 区有电子的积累。同理,在N区有空穴的积累。正向电流大,积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N 2021/2/6 * CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时,由于载流子数目很少,扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路: 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 2021/2/6 * 二极管:死区电压=0 .5V,正