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2021/2/6 * 3.11 水汽的危害 后工序(中测,划片,键合,封装)可靠性问题。 塑封:环氧树脂中,加硬化剂,填充剂,加热加压固化成管壳。 湿气引起 1金属材料腐蚀 2器件性能退化 2021/2/6 * 水汽的来源和影响 来源 器件内部残留 表面吸附 间隙渗入 外界扩散 影响 带杂质进来 溶解杂质 形成电解液 引起体积膨胀等 作用 内引线腐蚀 外引线腐蚀 电特性退化 2021/2/6 * 铝腐蚀——化学 电化学 电池 2021/2/6 * 铝腐蚀——化学 电化学 电池 2021/2/6 * 外引线的锈蚀—本身 水汽 电位差 管腿材料多用柯伐,它是铁一镍一铬的合金,除了其在机械加工中引入应力而产生应力腐蚀外,还存在电化学腐蚀。 本身表面存在裂缝,或表面镀层不完整、不致密,有针孔,毛细作用使孔内凝聚水汽,出现电化学腐蚀。 存在Cl-杂质离子时,腐蚀速度加快。 外引线周围有水汽凝结,引线间有电位差(如分立器件插在印制板上)时,引线间的漏电流不断通过,离子化倾向大(标准电极电位为负)的材料如铁就产生电化学腐蚀而断裂。离子化倾向小:Cu 2021/2/6 * 水汽使电特性退化 水汽通过压焊点或钝化层上微裂纹进入芯片表面,溶入的一些杂质和污染物引起器件: 漏电 表面反型 耐压降低 增益下降 阈值电压漂移 性能退化 器件特性有余量,易发现;无余量,特性退化。 2021/2/6 * 改进措施 改用低吸湿性树脂,提高树脂纯度,减少其中含Na+、C1-等有害杂质。 降低树脂热膨胀系数,添加耦合剂,改变引线框架形状,以改善材料间粘强度,防止引线框与树脂间界面进入水份。 芯片表面加钝化层保护。如氯化硅、二氧化硅、磷硅玻璃、有机涂料或聚酷亚胺等,等离子体淀积的氮化硅膜效果明显,键合处仍不能保护。 开发耐腐蚀布线材料及工艺。如利用等离子体放电的铝表面氧化,利用As、P等的离子注入提高铝布线膜质;难溶金属硅化物TiSi2。 2021/2/6 * 本次课完 回顾讲过的内容。 参考补充: 电子设备中电路板布局、布线和安装的抗ESD设计规则 元器件应用中的静电防护 2021/2/6 * 作业 缩小到纳米尺寸的硅基CMOS器件面临存 在一些主要的可靠性问题,针对某一可靠 性问题展开论述。 Word文档;4000字;附文献; 小论文占总成绩的30%。 2021/2/6 * 3 失效物理 本次课内容: 3.7 CMOS电路的闩锁效应 3.8 静电放电损伤 3.9 辐射损伤 3.10 软误差 3.11 水汽的危害 补充材料: 电子设备中电路板布局、布线和安装的抗ESD设计规则 元器件应用中的静电防护 本次课要点: 了解闩锁效应的机理和解决办法 了解静电的来源,对器件的损伤 辐照效应对器件的影响,抗核加固 什么是软误差 水汽对器件的危害 2021/2/6 * 3.7 CMOS电路的闩锁效应 闩锁效应 是指CMOS电路中寄生的固有可控硅结构被外界因素触发导通,在电源和地之间形成低阻通路现象。 一旦电流流通,电滤电压不降至临界值以下,导通就无法中止,引起器件的烧毁。 闩锁发生的条件 两管增益之积大于1（维持正反馈） 电源电压和电流足够 触发寄生电阻压降大于寄生晶体管EB结正向压降（正偏） 一般10V以上,几十mA 电流。高温时更容易发生。 2021/2/6 * 检测方法 直流电源法 变化电源电压,根据电源电流变化判断; 缺点:有可能误判。 电信号触发法 电源电压不变,信号电压变化,根据电源电流判断; 缺点:有可能触发不了或误判。 扫描电镜法 可以方便检测到失效点; 缺点:比较贵,有可能与ESD混淆。 注:所以要看版图,有无容易闩锁的结构,有无保护等具体分析,而不能只看电流变化和烧毁情况。 2021/2/6 * 发生闩锁的图片 2021/2/6 * 抑制办法 采用SOS工艺,在绝缘衬底上外延单晶硅制作电路绝缘衬底的硅薄膜SOI(Silicon on Insulator)。 SOS 兰宝石衬底外延硅结构 (Silicon on Sapphire结构) 采用保护环,有效降低横向电阻和横向电流密度。(图3.19) 采用外延及阱埋层的方法,减小寄生电阻Rs, Rw和NPN电流放大系数。(图3.20) 改进版图设计:多开电源和接地孔,增加周界,减小接触电阻。 注意使用方法:带电操作, 加电次序 2021/2/6 * 3.8 静电放电损伤 静电定义:物体带正负电荷相等,呈电中性。某原因电荷转移, 物体即带电。电荷被绝缘体隔离不能够与异性电荷中和称静电。 静电特征:电压高,电荷量小。Q=CU 产生静电的两种形式:摩擦及感应 2021/2/6 * 静电源 人体; 机器设备; 工作桌椅; 地板