第6章-磁电磁敏式传感器.pptVIP

2021/2/21 * 霍尔传感器用于测量磁场强度 霍尔元件 测量铁心 气隙的B值 2021/2/21 * 6.3 磁敏元件 磁敏元件也是基于磁电转换原理,60年代西门子公司研制了第一个磁敏元件,68年索尼公司研制成磁敏二极管,目前磁敏元件应用广泛。 磁 敏 元 件 磁敏元件主要有: 霍尔元件; 磁敏电阻; 磁敏二极管; 磁敏三极管。 2021/2/21 * 6.3.1 磁敏电阻 载流导体置于磁场中,除了产生霍尔效应外,导体中载流子因受洛仑兹力作用要发生偏转,磁场使载流子运动方向的偏转使电流路径变化,起到了加大电阻的作用,磁场越强增大电阻的作用越强。 ρ0 — 零磁场电阻率; μ — 磁导率; ρB — B 磁场电阻率; B — 磁场强度。 外加磁场使导体(半导体)电阻随磁场增加而增大的现象称磁阻效应。 磁阻效应表达式为 （1） 磁阻效应 2021/2/21 * 磁敏电阻结构 霍尔电场作用会抵消洛伦兹力,磁阻效应被大大减弱; 由于霍尔电场强度与导体薄片的宽度b成反比关系, 磁阻效应还与元件的几何尺寸有关。 长方形样品 扁条状长形 圆盘样品 电阻变化很小 磁阻变化明显 不产生霍尔电场 2021/2/21 * 长方形样品:霍尔电场作用力FH部分抵消了罗仑兹力作用,电阻变化很小。 扁条状长方形:霍尔电场 EH 很小,磁场作用使载流子偏转厉害,磁阻效应明显。 圆盘样品:外加磁场时,电流以螺旋形路径指向外电极,路径增大电阻增加。在圆盘中任何地方都不会积累电荷也不会产生霍尔电场,磁阻效应最明显。 长方形 L b 为了消除霍尔电场影响,获得大的磁阻效应,一般将磁敏电阻制成圆形或扁条长方形,并且磁敏元件需满足 L / b 1 2021/2/21 * 磁敏电阻与霍尔元件属同一类,都是磁电转换元件,本质不同是磁敏电阻没有判断极性的能力,只有与辅助材料(磁铁)并用才具有识别磁极的能力. （2）磁敏电阻的输出特性 磁阻元件在工作时通常需要加偏置磁场,使磁敏电阻工作在线性区域。 2021/2/21 * 无偏置磁场时只能检测磁场不能判别磁性。输出弱磁场时磁阻与磁场关系为: R =R0（1+MB2） R0 ——为零磁场内阻; M ——为零磁场系数; 外加偏置磁场时磁阻具有极性,相当在检测磁场外加了偏置磁场,工作点移到线性区,磁极性也作为电阻值变化表现出来,这时电阻值的变化为: R = RB（1+MB） RB ——为加偏置磁场电阻 2021/2/21 * 6.3.2 磁敏晶体管 器件特点: P-N为掺杂区,本征区I长度较长构成高阻半导体; 磁敏二极管在长“基区”的一侧面设置了复合区 r,r 面是个 粗糙面,载流子复合速度非常高; r 区对面是复合率很小的光滑面,载流子不易复合。 （1）磁敏二极管（锗管2ACM,硅管2DCM） 2021/2/21 * 工作过程:加正向电压时,空穴、电子同时注入 I 区 无磁场时B = 0,大部分 P 区空穴注入 N 区,N 区电子注 入 P 区形成电流; 加正向磁场时,由于洛仑磁力作用,空穴电子偏向r区, 并在r区很快复合 ,I 区载流子减小↓,电流减小↓,相当 于电阻增加压降增加↑ ; 加反向磁场时,空穴电子偏向r区背面,复合减少,I区载 流子增加,相当电阻减小电流增加↑,压降减小↓。 2021/2/21 * 以锗管NPN型为例:磁敏三极管也是以长基区为特征,有两个PN结,发射极与基极之间的PN 结由长基区二极管构成,有一个高复合区,集电极电流大小与磁场有关。 （2）磁敏三极管 2021/2/21 * 加正向磁场 载流子偏向高复合区,集电极电流Ic减小; 加反向磁场 载流子背向高复合区,集电极电流Ic增加; 当基极电流一定,靠外加磁场可以改变集电极电流,这是与普通三极管不同之处; 由于长基区大于扩散长度,所以电流增益β =Ic/ Ib ＜1,但 集电极电流有很高的磁灵敏度。 2021/2/21 * 位移测量 磁敏二极管组成电桥,磁铁处于磁敏元件之间,中间位置时输出电压U0=0;位移时两磁敏元件感受的磁场强度不同,RD1≠RD3,电桥失衡,输出与位移有关。位移方向相反输出极性变化,可判别位移大小和方向。 E D1 D2 D3 D4 U0 S N 涡流流量计 液体流动时,涡轮转动,流速与转速成正比,磁敏晶体管检测到磁性涡轮周期变化近似正弦波波形,频率与齿轮的转速成正比。 频率∝转速