应届毕业研究生留校公示.docVIP

下载本文档

8
0
约1.08千字
约 1页
2021-03-16 发布于天津
举报
版权申诉

应届毕业研究生留校公示.doc

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

应届毕业研究生留校公示姓名王光绪性别男出生年月 1985年11月所在院系材料科学与工程学院年级 2009级专业方向材料物理与化学拟留单位国家硅基LED工程技术研究中心拟安排工作岗位科研教育背景时间学校学历学位专业方向备注 2003.9-2007.6 山东科技大学本科学士应用物理学 2007.9-2012.6 南昌大学研究生博士材料物理与化学硕博连读教学、科研及社会实践的业绩成果时间项目（或授课、发表论文等）获奖情况备注 2009.9-2012.6 发表的主要论文： [1] 第一作者, “Improving p-type contact characteristics by Ni-assisted annealing and effects on surface morphologic evolution of InGaN LED films grown on Si (111)” [J]. Applied Surface Science, 2011, 257 (20): 8675-8678.(SCI收录号：778SF). [2] 第一作者, “Effects of Ni-assisted annealing on p-type contact resistivity of GaN-based LED films grown on Si(111) substrates” [J].Acta physica sinica, 2011, 60 (7): 078503.(SCI收录号：800MZ) 参加的学术会议： [1] 2010年“第十二届全国LED产业研讨与学术会”，并做会议报告 [2] 2011年“全国光电子与量子电子学技术大会”，并做会议报告 [3] 2011年“第九届中华光电子技术研讨会(海峡两岸三地)” 发明专利： [1] 采用离子镀在生长衬底上制备氮化铝材料的方法. (中国申请号: 200910115536.7，公开号：CN101586227)[2] 一种在复合衬底上制备InGaAlN发光器件的方法.(中国公开号：CN102067335A，国际公布：2010-02-25 WO2010/020077 EN) 获奖： 2011年度南昌大学“晶能奖学金” 对拟留人选如有意见和建议，请于2012年5月25日前，向学校人事处和用人单位反映。人事处联系电话：0791 用人单位联系电话：0791